On-line: гостей 1. Всего: 1 [подробнее..]
Правила: заголовок темы должен кратко и понятно отражать ее суть, нельзя писать латиницей или заглавными буквами. Сообщение, ник, аватар не должны выделяться своими размерами или стилем написания от остальных, быть читабельными, написаны литературно и достаточно грамотно.



АвторСообщение





Сообщение: 1
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 24.05.09 23:08. Заголовок: Транзистор и импульс на базе (ошибка расчета?)


При моделировании транзистора на воздействие импульса на коллекторе напряжение рассчитывается с ошибкой. Напряжения после снятия импульса на коллекторе становится отрицательным для n-p-n транзистора. Запускал эту схему в симуляторе OrCAD - моделирование совпала с практикой.

Как калибровать модель транзистора в Micro-CAP, чтобы получить исключить ошибку?

Схема: Схема транзистор и импульс на базе.JPG
Осциллограмма базовый импульс и напряжение на коллекторе: Реакция транзистора на импульс.JPG

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
Ответов - 73 , стр: 1 2 3 4 All [только новые]





Сообщение: 20
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 00:29. Заголовок: А нету никакой ошибк..


А нету никакой ошибки.
Вы ток базы в импульсе задали 0,5-0,7 А !!!! (это очень много для 2222 транзистора)
но ток коллектора ограничили значением 3/5000 =0,6mA .

И кто так делает?

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 2
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 14:16. Заголовок: Посмотрел data sheet 2N2222A


Нашёл рекомендованную схему подключения транзистора для испытаний. испытал в Micro-Cap. См. схему Fig.2 Test circuit for switching times.jpg

Однако меня интересуют именно "крайности". Это необходимо для проектирования и анализа блокинг-генератора, когда в базе обратная связь через обмотки импульсного трансформатора. И тогда возникает отрицательный прогиб напряжения на базе.

Повторюсь - в OrCAD модель транзистора работает точнее и с перегрузкой.

И. ещё одно замечание. В data shhet сказано, что пиковое значение импульсного тока на базе 2N2222A не превышает 200 мА. Вот для этого случая модель транзистора неадекватна практике.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 720
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 15:23. Заголовок: Как калибровать моде..



 цитата:
Как калибровать модель транзистора в Micro-CAP, чтобы получить исключить ошибку?


А какие проблемы взять модель транзистора из OrCad и использовать ее в Micro-Cap?

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 21
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 15:44. Заголовок: Повторюсь - в OrCAD ..



 цитата:
Повторюсь - в OrCAD модель транзистора работает точнее и с перегрузкой.


Насколько точнее? Может быть попробуете сравнить при одинаковых установках параметров симуляции (по точности, по минимальному шагу, по напряжениям источников питания и амплитуды импульсов) Кстати, в разных симуляторах источник импульсного сигнала может иметь разную длительность фронта\среза импульса. Это тоже может влиять на результат даже при абсолютно одинаковых SPICE моделях транзисторов.


 цитата:
тока на базе 2N2222A не превышает 200 мА. Вот для этого случая модель транзистора неадекватна практике.


-какому параметру даташита не устраивает?
- что там на практике? осциллограмму можно увидеть?

Провал напряжения на коллекторе NPN ниже 0 - это встречается и на практике в реале, когда глубоко насыщенный транзистор резко запирают, то прямосмещенный переход база-коллектор своей паразитной емкостью опускает потенциал коллектора ниже 0 вольт. Ничего сверхъестественного.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 3
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 19:44. Заголовок: Есть важный вопрос, ..


Есть важный вопрос, а именно адекватность модели транзистора.

Оставляю ссылку на конспект книги Абрамова "Лекции по моделированию элементов интегральных схем". Лекции по моделированию элементов интегральных схем.djvu

Нам необходимо предложить математическую модель транзистора и его физический реальный транзистор.

Адекватность модели - это соответствия или правильность отображения описываемых моделью физических процессов, реально протекающих в элементе. А на сколько точно отбражает модель и процесссы? Легко заметить противоречивость требований высокой точности, универсальности и экономичности модели. Чем выше точность и универсальность модели, тем, как правило ниже ее экономичность; больше требуемые затраты времени и памяти ЭВМ.

Из книги следует, что необходимо настройку математической модели транзистора для граничных условия режима работы транзистора.

Например, каждый транзистор имеет режим туннельного пробоя. Можно собрать простую схему с из резистора, конденсатора и большого напряжения питания для проверки туннельного режима коллектор - эмиттер. Большенство SPICE транзисторов не используют этот эффект полупроводникового элемента.

Поэтому "адекватность модели" и реального объекта, например транзистора, необходимо проверять.



Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 22
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 26.05.09 00:05. Заголовок: Можно собрать просту..



 цитата:
Можно собрать простую схему с из резистора, конденсатора и большого напряжения питания для проверки туннельного режима коллектор - эмиттер. Большенство SPICE транзисторов не используют этот эффект полупроводникового элемента.

Можно то оно можно, только вот смысл какой?. Если для MOSFET режим лавинного пробоя пронормирован по спецификации и не приводит к деградации элемента , то он и в модели заложен (как правило!) , а вот для биполярного NPN попробуйте пронормируйте лавинный\туннельный пробой, с конкретными миллиджоулями энергии такого пробоя. Ничего хорошего из этого не выйдет, хотя некоторые радиолюбители его используют, но даташитом строго запрещен. Зачем тогда "утяжелять" модель? Если некоторым ученым это нужно, то путь простой , дописать несколько строк в спайс модель.

Нормальный инженер может жаловаться на модель, если она не соответствует границам параметров даташита. И всё. Остальное - от лукавого.
Большой ученый может жаловаться на модель до бесконечности.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 4
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 26.05.09 11:11. Заголовок: тау пишет: Можно то..


тау пишет:

 цитата:
Можно то оно можно, только вот смысл какой?. Если для MOSFET режим лавинного пробоя пронормирован по спецификации и не приводит к деградации элемента , то он и в модели заложен (как правило!) , а вот для биполярного NPN попробуйте пронормируйте лавинный\туннельный пробой, с конкретными миллиджоулями энергии такого пробоя.



Отсылаю Вас к книге Дьяконов В.П., Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. // [текст] - Москва.-изд. Солон-Пресс.-2008.-384 с. с ил. На основе лавинного эффекта масса предложено схем.

Здесь важно для меня адекватность модели расчета в программе имитации схем. Без лавинного эффекта в модели просчитать напряжения и характер импульсов в блокинг-генераторе или релаксаторе невозможно. Дьяконов предложил добавить в модель транзистора тунельные коэффициенты для точного отражения процессов в биполярном транзисторе.

Истина важнее. Неточные знания и грубые модели приведут нас в полный тупик анализа при имитации.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 23
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 26.05.09 18:41. Заголовок: askcap пишет: Без л..


askcap пишет:

 цитата:
Без лавинного эффекта в модели просчитать напряжения и характер импульсов в блокинг-генераторе или релаксаторе невозможно.


Покажите серийную или не радиолюбительскую схему да хотя бы и блокинга с входом в лавинный пробой, и я покажу Вам нарушение предельных режимов эксплуатации

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 5
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 10:50. Заголовок: тау пишет: Покажите..


тау пишет:

 цитата:
Покажите серийную или не радиолюбительскую схему



Схема, собранная как любительская, так и профессиональная будет обладать свойством работает или нет. Т.е. токи и напряжения в цепи можно наблюдать. Эти токи и напряжения хотелось бы наблюдать и в модели с заданной точностью.

Вот известная всем и хорошо повторяемая схема лавинного генератора пилообразного напряжения: Схема генератора на лавинном транзисторе.

Будет эта схема работать в Micri-Cap? Мне не удалось отладить модель.


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 6
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 11:12. Заголовок: Выкладываю схему бло..


Выкладываю схему блокинг-генератора на импульсном трансформаторе МИТ-3В. Практически измерил работу для разнообразных транзисторах. А вот модель не удается приблизить к практике. Неустойчиво считает и не формирует даже повторяющиеся осциллограмм.

Схема блогинг-генератора: Блокинг-генератор (для Micro-Cap 9)

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 721
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 11:27. Заголовок: Будет эта схема рабо..



 цитата:
Будет эта схема работать в Micri-Cap? Мне не удалось отладить модель.


Со стандартными моделями - нет, не будет. Модель Гуммеля-Пуна, которая используется для описания подавляющего большинства транзисторов (для создания Spice-моделей) не моделирует явления в области лавинного пробоя. Точнее, пробой она вообще не моделирует. Т.е. на транзистор при моделировании можно подать напряжение в раз больше, чем реальности и ничего "плохого" не будет.

Это не является специфической особенностью Micro-Caр. Тоже самое будет и в других программах моделирования. Просто, как уже отмечалось, лавинный пробой выходит за границы области применимости стандартных Spice-моделей, представляемых разработчиками полупроводниковых приборов, поскольку такой режим работы не является штатным режимом транзистора.
Более того, отмечу, что подавляющее большинство других spice-моделей также некорректно работают в непаспортных режимах работы. Т.е. для корректного моделирования обязательно надо знать область применимости используемых моделей. Увы, универсальную модель, которая учитывала все возможные режимы работы создать весьма трудно. Плюс сложность ее часто превышает допустимые пределы, в результате скорость расчетов резко снижается и и повышается вероятность расходимости процесс вычислений. Поэтому разработчики всегда ищут компромисс между точностью(достоверностью) и сложностью.
Для исследования процессов в нестандартных режимах создаются нестандартные модели.

С ходу не скажу, есть ли нестандартные (организованные в виде подсхем) модели транзисторов, учитывающих явление лавинного пробоя. Наверняка, есть.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 7
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 13:35. Заголовок: Aml пишет: Более то..


Aml пишет:

 цитата:
Более того, отмечу, что подавляющее большинство других spice-моделей также некорректно работают в непаспортных режимах работы.



Для лавинного процесса автор книги Дьяконов предложил усовершенствованную модель транзистора, которая корректно имитирует лавинные процессы. Можно конечно составленные дифференциальные уравнения решить в другом инструменте.

Может и блокинг-генератор не работает корректно, т.к. на больших уровнях сигнала без учета других нелинейных зависимостей нельзя имитировать?

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 25
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 13:44. Заголовок: askcap пишет: Будет..


askcap пишет:

 цитата:
Будет эта схема работать в Micri-Cap? Мне не удалось отладить модель.

И это очень хорошо что не удалось !!!
Иначе Вы бы заложили такое решение в продукцию и она стала бы у потребителя выходить из строя.
Автор той схемы ГЛИНа сам признаётся
 цитата:
В первую очередь следует упомянуть значительный разброс лавинных параметров транзисторов и, как следствие, недостаточно высокую воспроизводимость характеристик устройств на транзисторах, работающих в подобном режиме. Кроме того, всегда есть большая опасность пробоя транзистора в процессе налаживания устройств

Только он забыл упомянуть что выходят из строя не только во время налаживания но и во время работы, так как в несколько раз превышается максимальное напряжение К-Б (60 вольт у П701А) и импульсный ток коллектора , который автор даже рассчитать поленился, не говоря уже об энергии пробоя.

А блокинг генератор по ссылке - никогда воообще не будет работать, транзистор всё время заперт от самого начала шунтирующей б-э обмоткой L1. и отсутствие в модели лавинных свойств этому не поможет , увы. Реальная схема тоже не заработает при плавной подаче питания.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 26
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 14:52. Заголовок: askcap, если Вам так..


askcap, если Вам так интересны блокинг-генераторы , то по нижеприведенной ссылке можете посмотреть относительно грамотную схему автогенератора с положительной обратной индуктивной связью на электроникс.ру, которая не страдает недостатками лавинного пробоя, легко моделируется .

http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=62859&st=45
на сайте electronix нужно зарегистрироваться чтобы были видны рисунки и схемы .

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 722
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 15:07. Заголовок: т.к. на больших уров..



 цитата:
т.к. на больших уровнях сигнала без учета других нелинейных зависимостей нельзя имитировать?


Вообще-то не испытывал серьезных проблем с моделированием блокинг-генераторов. Хотя сходимость расчетов таких схем оставляет желать лучшего - обязательно нужно вводить паразитные параметры (сопротивления и емкости обмоток, внутреннее сопротивление источника питания, последовательные сопротивления конденсаторов и т.п.) Ну и нелинейный сердечник трансформатора, естественно.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 8
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 23:40. Заголовок: Aml пишет: Вообще-т..


Aml пишет:

 цитата:
Вообще-то не испытывал серьезных проблем с моделированием блокинг-генераторов. Хотя сходимость расчетов таких схем оставляет желать лучшего



Привожу цитату из книги Р.Гласс "руководство по надёжному программированию":

"... Какой уровень надёжности я ожидаю? Такой же, как при покупке билета на самолёт? Как вам понравится следующие объяснения представителя авиакомпании: "Мужайтесь, Госпожа Робинсон, у самолёта, на котором летел Ваш муж, отказали только двигатели. Корпус и крылья были в полном порядке. Но мы не делаем двигатели, так что в действительности это - не наша вина".

и далее

"По-моему, основная причина заключается в том, что заказчик самолёта требует обеспечить немыслимо высокий уровень надёжности,в то время как заказчик вычислительных систем не делает этого. Их так часто бьют по голове, что они теряют ясность мысли. Но моя-то голова сделана из бетона, я нахожусь в здравом уме и упрям, как миссурийский мул. Я считаю, что так же неприемлемо позволить набору устройств, называемому вычислительной системой, быть надёжным..."

Как поступать практически?

Пост "тау" отослал меня на форум. Просмотрел я его внимательно на предмет имитации блокинг-генератора, а "воз и ныне там". Модель " не сходится". Во-первых, неадекватная модель транзистора. Во-вторых, имитация сильной обратной связи как трансформаторной, так и в транзисторе через базовый ток и носителей в базе - не дает даже правильный вид наблюдаемых осциллограмм.

В книге Лекции по моделированию элементов интегральных схем.djvu в гл. 4 "Общие вопросы моделирования элементов ИС" рассмотрена классификация моделей и программных комплексов для моделирования вольт-амперных характеристик. Рекомендуется калибровка модели элемента цепи с целью соответствия модели и настоящего компонента.

Как можно добавить в SPICE модель новые зависимости, например лавинный?

Вынужден вернуть и начать от печки. Если MicroCap или другой продукт не умеет, тогда можно ли добавить внешнюю подпрограмму для решения нелинейных уровнений транзистора с лавинным эффектом? Или выполнить реализацию на пассивных и зависимых источниках тока, напряжения модели транзистора?


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 723
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 28.05.09 14:53. Заголовок: Если продолжать анал..


Если продолжать аналогию с самолетом, то сегодняшний уровень развития систем моделирования электронных устройств соответствует примерно самолетостроению двадцатых готов прошлого века. Тогда авиация тоже была, но назвать ее всепогодной, сверхнадежной и безопасной, увы, нельзя :)
Будут ли системы моделирования такими же надежными, как современные аэробусы? Возможно, да. Однако, если современный аэробус пытаться использовать в нештатном режиме - посадить на грунтовый аэродром, заставить выполнять фигуры высшего пилотажа (самолеты ведь в принципе их делают), и т.п. то с пассажирами тоже может быть множество всяких неприятностей. И чтобы этого не происходило обязательно есть инструкции, ограничения, только при соблюдении которых будет обеспечена безопасность полета.
Так и с системами моделирования. Адекватность результатов моделирования гарантируется не в произвольном случае при любых условиях, а лишь в определенной области - области применимости. Эта область применимости зависит от ограничения моделей и вычислительных алгоритмов. И при использовании систем моделирования такие ограничения знать обязательно.
Если продолжить аналогию с авиацией, то пассажир совсем не обязан знать и соблюдать условия, при которых гарантируется безопасный полет. А вот летчик эти условия знать обязан. И не только знать, но и соблюдать. А пользователь систем моделирования пока еще не пассажир, а летчик. Где-то так...

 цитата:
Если MicroCap или другой продукт не умеет, тогда можно ли добавить внешнюю подпрограмму для решения нелинейных уровнений транзистора с лавинным эффектом?


Если не ошибаюсь, сам по себе такие задачи решает LabView и тому подобные системы.
По поводу интеграции внешней подпрограммы для решений нелинейных уравнений - сомневаюсь, по моему, такой возможности нет.
Как вариант, можно связаться с разработчиками Micro-Cap и обсудить с ними задачу встраивания модели транзистора с лавинным пробоем. Из опыта общения с ними у меня сложилось впечатление, что они достаточно охотно идут на контакт и добавляют в Micro-Cap различные новшества по просьбе пользователей.

По поводу создания такой модели существующими средствами Micro-Cap ничего посоветовать не могу, поскольку с ее структурой не разбирался. Когда мне понадобилось грубо имитировать пробой, просто ограничился подключением стабилитрона параллельно транзистору.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 9
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 28.05.09 19:41. Заголовок: Хочется поделится ещ..


Хочется поделится ещё одним впечатлением о книге Р. Клатте ""PASCAL-XSC язык численного программирования". Сам не новичок в программировании. Есть успешно внедренные проекты, однако результаты исследования о надёжных стандартно известных методов программ были для меня полным откровением.

Концепция достоверных численных вычислений.

"... Как следствие, разработчики систем программирования для численных приложений, основанных на замене точного результата одним приближенным, обычно "машут рукой" на оценку погрешности, и пользователь не может точно сказать, с какой т очностью будет подсчитана, например, даже такая величина, как exp(0.0001).
Кроме того, серьезным изъян имеется в самой идее замены точного значения одним приближенным. Дело в том, что в этом случае не гарантируется, вообще говоря, корректность проверки численных соотношений: если у вас в программе имеется, например, оператор

if x < 0 then A else B,

а x вычисляется приближенно, то вы никогда не сможете быть уверены в правильном ветвлении, поскольку, скажем, вычисленное значение 0.013 может заменить точное значение, равное -0.02.

...""...

использование на практике показало очевидную ограниченность приближенного значений строгих и точных математических объектов.

Есть другой , альтернативный подход, получивший название интервального вычисления.

Профессор университета Вены П. Скалички наполовину с юмором, а наполовину всерьез, заявил: "С тех пор, когда я подробнее узнал о принятых способах выполнения машинных вычислениях, очень опасаюсь ходить по мостам и оказываться внутри других сложных инженерных сооружений..."

Ссылка: PASCAL-XSC


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 10
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 30.05.09 11:11. Заголовок: Aml пишет: Это не я..


Aml пишет:

 цитата:
Это не является специфической особенностью Micro-Caр. Тоже самое будет и в других программах моделирования. Просто, как уже отмечалось, лавинный пробой выходит за границы области применимости стандартных Spice-моделей, представляемых разработчиками полупроводниковых приборов, поскольку такой режим работы не является штатным режимом транзистора.



Необходимо добавить в Micro-Cap новую уточнённую модель транзистора. Дьяконов В.П., автор книги "Лавинные транзисторы и тиристоры" предложил уточнённую модель биполярного транзистора, которая позволяет моделировать лавинные и другие эффекты.

Выкладываю конспект (отсканированные страницы с.113-120) - Универсальная математическая модель биполярного транзистора.

"...
2.6. Универсальная модель биполярного транзистора.

В литературе описано большое число математических моделей биполярных транзисторов: Эберса-Молла, Линвилла, Агананяна, Гуммеля-Пуна и др. Эти модели, встроенные в современные программы схемотехнического моделирования (Pspice, MicroCap? Electronics WorkBench и др.), с приемлемой точностью позволяют рассчитывать ряд импульсных устройств. Однако они не вполне удобны для расчёта в широком диапазоне рабочих напряжений и токов, так не учитывают (или учитывают не вполной мере) явления, наблюдаемые при работе транзистора в лавинном режиме.

Ниже описана математическая модель биполярного транзистора, в которой учитывается большинство главных факторов, влияющих на работу транзистора в области больших токов и напряжений [86]. Модель описывает эффекты лавинного умножения носителей, первичного и вторичного пробоя, эффекти Эрли и Кирха (спад частоты в области больших токов), спад коэффициента передачи тока эммитора в обычном режиме и при больших токах, смыкания области объёмного зарядас эммитором в лавиннном режиме с ограниченной областью объемного заряда и др. Модель базируется как на обычных физических представлениях о работе транзистора, так и на развитых [8,84].

Примечание
Ссылки на источники:

8. Дьяконов В.П., Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах.- изд. "Советсвое радио".-1973.
84. Дьяконов В.П., Анализ переходных процессов емкостного релаксатора на лавинном транзисторе с учётом основных факторов его инерционности // Радиотехника и электроника, №6, 1979.
86. Дьяконов В.П., Самойлова Т.А., Математическая модель биполярного транзистора для обычного и лавинного режима работы // Радиотехника, №10, 1979.

..."

Буду признателен за помощь и ссылки с целью изменить SPICE модель транзистора в MicroCap, например 2N2222A, до универсальной модели с лавинным эффектов.


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 27
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 30.05.09 11:50. Заголовок: Практическое использ..


Практическое использование лавинного эфекта для биполярных транзисторов лишено смысла. Вряд ли найдутся серьезные разработчики, заинтересующиеся этой идеей. Нарушать предельные режимы транзисторов ЗАПРЕЩЕНО. Утяжелять модель из-за этой , извините ,прихоти - нерационально. Симулируемые результаты работы модели все равно будут отличаться от реалий в связи с большим разбросом лавинных параметров реальных транзисторов.

Если Вы так хотите иметь подобную модель - для симуляции, поставьте параллельно к-э транзистора ключ управляемый напряжением. Укажите сопротивление ключа эквивалентное процессу пробоя, верхнее напряжение начала пробоя (когда ключ включится) и нижнее напряжение прекращения пробоя (когда ключ выключится). Это простейшая модель. Идя по такому пути и наращивая модель , можно сделать зависимость напряжения срабатывания ключа не только от напряжения к-э но и от тока\напряжения б-э.
Вот только смысл таких усилий мне непонятен, честное слово.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
Ответов - 73 , стр: 1 2 3 4 All [только новые]
Ответ:
1 2 3 4 5 6 7 8 9
большой шрифт малый шрифт надстрочный подстрочный заголовок большой заголовок видео с youtube.com картинка из интернета картинка с компьютера ссылка файл с компьютера русская клавиатура транслитератор  цитата  кавычки моноширинный шрифт моноширинный шрифт горизонтальная линия отступ точка LI бегущая строка оффтопик свернутый текст

показывать это сообщение только модераторам
не делать ссылки активными
Имя, пароль:      зарегистрироваться    
Тему читают:
- участник сейчас на форуме
- участник вне форума
Все даты в формате GMT  3 час. Хитов сегодня: 241
Права: смайлы да, картинки да, шрифты да, голосования нет
аватары да, автозамена ссылок вкл, премодерация откл, правка нет