On-line: гостей 5. Всего: 5 [подробнее..]
Правила: заголовок темы должен кратко и понятно отражать ее суть, нельзя писать латиницей или заглавными буквами. Сообщение, ник, аватар не должны выделяться своими размерами или стилем написания от остальных, быть читабельными, написаны литературно и достаточно грамотно.



АвторСообщение





Сообщение: 1
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 24.05.09 23:08. Заголовок: Транзистор и импульс на базе (ошибка расчета?)


При моделировании транзистора на воздействие импульса на коллекторе напряжение рассчитывается с ошибкой. Напряжения после снятия импульса на коллекторе становится отрицательным для n-p-n транзистора. Запускал эту схему в симуляторе OrCAD - моделирование совпала с практикой.

Как калибровать модель транзистора в Micro-CAP, чтобы получить исключить ошибку?

Схема: Схема транзистор и импульс на базе.JPG
Осциллограмма базовый импульс и напряжение на коллекторе: Реакция транзистора на импульс.JPG

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
Ответов - 73 , стр: 1 2 3 4 All [только новые]





Сообщение: 20
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 00:29. Заголовок: А нету никакой ошибк..


А нету никакой ошибки.
Вы ток базы в импульсе задали 0,5-0,7 А !!!! (это очень много для 2222 транзистора)
но ток коллектора ограничили значением 3/5000 =0,6mA .

И кто так делает?

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 2
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 14:16. Заголовок: Посмотрел data sheet 2N2222A


Нашёл рекомендованную схему подключения транзистора для испытаний. испытал в Micro-Cap. См. схему Fig.2 Test circuit for switching times.jpg

Однако меня интересуют именно "крайности". Это необходимо для проектирования и анализа блокинг-генератора, когда в базе обратная связь через обмотки импульсного трансформатора. И тогда возникает отрицательный прогиб напряжения на базе.

Повторюсь - в OrCAD модель транзистора работает точнее и с перегрузкой.

И. ещё одно замечание. В data shhet сказано, что пиковое значение импульсного тока на базе 2N2222A не превышает 200 мА. Вот для этого случая модель транзистора неадекватна практике.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 720
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 15:23. Заголовок: Как калибровать моде..



 цитата:
Как калибровать модель транзистора в Micro-CAP, чтобы получить исключить ошибку?


А какие проблемы взять модель транзистора из OrCad и использовать ее в Micro-Cap?

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 21
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 15:44. Заголовок: Повторюсь - в OrCAD ..



 цитата:
Повторюсь - в OrCAD модель транзистора работает точнее и с перегрузкой.


Насколько точнее? Может быть попробуете сравнить при одинаковых установках параметров симуляции (по точности, по минимальному шагу, по напряжениям источников питания и амплитуды импульсов) Кстати, в разных симуляторах источник импульсного сигнала может иметь разную длительность фронта\среза импульса. Это тоже может влиять на результат даже при абсолютно одинаковых SPICE моделях транзисторов.


 цитата:
тока на базе 2N2222A не превышает 200 мА. Вот для этого случая модель транзистора неадекватна практике.


-какому параметру даташита не устраивает?
- что там на практике? осциллограмму можно увидеть?

Провал напряжения на коллекторе NPN ниже 0 - это встречается и на практике в реале, когда глубоко насыщенный транзистор резко запирают, то прямосмещенный переход база-коллектор своей паразитной емкостью опускает потенциал коллектора ниже 0 вольт. Ничего сверхъестественного.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 3
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 25.05.09 19:44. Заголовок: Есть важный вопрос, ..


Есть важный вопрос, а именно адекватность модели транзистора.

Оставляю ссылку на конспект книги Абрамова "Лекции по моделированию элементов интегральных схем". Лекции по моделированию элементов интегральных схем.djvu

Нам необходимо предложить математическую модель транзистора и его физический реальный транзистор.

Адекватность модели - это соответствия или правильность отображения описываемых моделью физических процессов, реально протекающих в элементе. А на сколько точно отбражает модель и процесссы? Легко заметить противоречивость требований высокой точности, универсальности и экономичности модели. Чем выше точность и универсальность модели, тем, как правило ниже ее экономичность; больше требуемые затраты времени и памяти ЭВМ.

Из книги следует, что необходимо настройку математической модели транзистора для граничных условия режима работы транзистора.

Например, каждый транзистор имеет режим туннельного пробоя. Можно собрать простую схему с из резистора, конденсатора и большого напряжения питания для проверки туннельного режима коллектор - эмиттер. Большенство SPICE транзисторов не используют этот эффект полупроводникового элемента.

Поэтому "адекватность модели" и реального объекта, например транзистора, необходимо проверять.



Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 22
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 26.05.09 00:05. Заголовок: Можно собрать просту..



 цитата:
Можно собрать простую схему с из резистора, конденсатора и большого напряжения питания для проверки туннельного режима коллектор - эмиттер. Большенство SPICE транзисторов не используют этот эффект полупроводникового элемента.

Можно то оно можно, только вот смысл какой?. Если для MOSFET режим лавинного пробоя пронормирован по спецификации и не приводит к деградации элемента , то он и в модели заложен (как правило!) , а вот для биполярного NPN попробуйте пронормируйте лавинный\туннельный пробой, с конкретными миллиджоулями энергии такого пробоя. Ничего хорошего из этого не выйдет, хотя некоторые радиолюбители его используют, но даташитом строго запрещен. Зачем тогда "утяжелять" модель? Если некоторым ученым это нужно, то путь простой , дописать несколько строк в спайс модель.

Нормальный инженер может жаловаться на модель, если она не соответствует границам параметров даташита. И всё. Остальное - от лукавого.
Большой ученый может жаловаться на модель до бесконечности.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 4
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 26.05.09 11:11. Заголовок: тау пишет: Можно то..


тау пишет:

 цитата:
Можно то оно можно, только вот смысл какой?. Если для MOSFET режим лавинного пробоя пронормирован по спецификации и не приводит к деградации элемента , то он и в модели заложен (как правило!) , а вот для биполярного NPN попробуйте пронормируйте лавинный\туннельный пробой, с конкретными миллиджоулями энергии такого пробоя.



Отсылаю Вас к книге Дьяконов В.П., Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. // [текст] - Москва.-изд. Солон-Пресс.-2008.-384 с. с ил. На основе лавинного эффекта масса предложено схем.

Здесь важно для меня адекватность модели расчета в программе имитации схем. Без лавинного эффекта в модели просчитать напряжения и характер импульсов в блокинг-генераторе или релаксаторе невозможно. Дьяконов предложил добавить в модель транзистора тунельные коэффициенты для точного отражения процессов в биполярном транзисторе.

Истина важнее. Неточные знания и грубые модели приведут нас в полный тупик анализа при имитации.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 23
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 26.05.09 18:41. Заголовок: askcap пишет: Без л..


askcap пишет:

 цитата:
Без лавинного эффекта в модели просчитать напряжения и характер импульсов в блокинг-генераторе или релаксаторе невозможно.


Покажите серийную или не радиолюбительскую схему да хотя бы и блокинга с входом в лавинный пробой, и я покажу Вам нарушение предельных режимов эксплуатации

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 5
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 10:50. Заголовок: тау пишет: Покажите..


тау пишет:

 цитата:
Покажите серийную или не радиолюбительскую схему



Схема, собранная как любительская, так и профессиональная будет обладать свойством работает или нет. Т.е. токи и напряжения в цепи можно наблюдать. Эти токи и напряжения хотелось бы наблюдать и в модели с заданной точностью.

Вот известная всем и хорошо повторяемая схема лавинного генератора пилообразного напряжения: Схема генератора на лавинном транзисторе.

Будет эта схема работать в Micri-Cap? Мне не удалось отладить модель.


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 6
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 11:12. Заголовок: Выкладываю схему бло..


Выкладываю схему блокинг-генератора на импульсном трансформаторе МИТ-3В. Практически измерил работу для разнообразных транзисторах. А вот модель не удается приблизить к практике. Неустойчиво считает и не формирует даже повторяющиеся осциллограмм.

Схема блогинг-генератора: Блокинг-генератор (для Micro-Cap 9)

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 721
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 11:27. Заголовок: Будет эта схема рабо..



 цитата:
Будет эта схема работать в Micri-Cap? Мне не удалось отладить модель.


Со стандартными моделями - нет, не будет. Модель Гуммеля-Пуна, которая используется для описания подавляющего большинства транзисторов (для создания Spice-моделей) не моделирует явления в области лавинного пробоя. Точнее, пробой она вообще не моделирует. Т.е. на транзистор при моделировании можно подать напряжение в раз больше, чем реальности и ничего "плохого" не будет.

Это не является специфической особенностью Micro-Caр. Тоже самое будет и в других программах моделирования. Просто, как уже отмечалось, лавинный пробой выходит за границы области применимости стандартных Spice-моделей, представляемых разработчиками полупроводниковых приборов, поскольку такой режим работы не является штатным режимом транзистора.
Более того, отмечу, что подавляющее большинство других spice-моделей также некорректно работают в непаспортных режимах работы. Т.е. для корректного моделирования обязательно надо знать область применимости используемых моделей. Увы, универсальную модель, которая учитывала все возможные режимы работы создать весьма трудно. Плюс сложность ее часто превышает допустимые пределы, в результате скорость расчетов резко снижается и и повышается вероятность расходимости процесс вычислений. Поэтому разработчики всегда ищут компромисс между точностью(достоверностью) и сложностью.
Для исследования процессов в нестандартных режимах создаются нестандартные модели.

С ходу не скажу, есть ли нестандартные (организованные в виде подсхем) модели транзисторов, учитывающих явление лавинного пробоя. Наверняка, есть.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 7
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 13:35. Заголовок: Aml пишет: Более то..


Aml пишет:

 цитата:
Более того, отмечу, что подавляющее большинство других spice-моделей также некорректно работают в непаспортных режимах работы.



Для лавинного процесса автор книги Дьяконов предложил усовершенствованную модель транзистора, которая корректно имитирует лавинные процессы. Можно конечно составленные дифференциальные уравнения решить в другом инструменте.

Может и блокинг-генератор не работает корректно, т.к. на больших уровнях сигнала без учета других нелинейных зависимостей нельзя имитировать?

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 25
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 13:44. Заголовок: askcap пишет: Будет..


askcap пишет:

 цитата:
Будет эта схема работать в Micri-Cap? Мне не удалось отладить модель.

И это очень хорошо что не удалось !!!
Иначе Вы бы заложили такое решение в продукцию и она стала бы у потребителя выходить из строя.
Автор той схемы ГЛИНа сам признаётся
 цитата:
В первую очередь следует упомянуть значительный разброс лавинных параметров транзисторов и, как следствие, недостаточно высокую воспроизводимость характеристик устройств на транзисторах, работающих в подобном режиме. Кроме того, всегда есть большая опасность пробоя транзистора в процессе налаживания устройств

Только он забыл упомянуть что выходят из строя не только во время налаживания но и во время работы, так как в несколько раз превышается максимальное напряжение К-Б (60 вольт у П701А) и импульсный ток коллектора , который автор даже рассчитать поленился, не говоря уже об энергии пробоя.

А блокинг генератор по ссылке - никогда воообще не будет работать, транзистор всё время заперт от самого начала шунтирующей б-э обмоткой L1. и отсутствие в модели лавинных свойств этому не поможет , увы. Реальная схема тоже не заработает при плавной подаче питания.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 26
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 14:52. Заголовок: askcap, если Вам так..


askcap, если Вам так интересны блокинг-генераторы , то по нижеприведенной ссылке можете посмотреть относительно грамотную схему автогенератора с положительной обратной индуктивной связью на электроникс.ру, которая не страдает недостатками лавинного пробоя, легко моделируется .

http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=62859&st=45
на сайте electronix нужно зарегистрироваться чтобы были видны рисунки и схемы .

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 722
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 15:07. Заголовок: т.к. на больших уров..



 цитата:
т.к. на больших уровнях сигнала без учета других нелинейных зависимостей нельзя имитировать?


Вообще-то не испытывал серьезных проблем с моделированием блокинг-генераторов. Хотя сходимость расчетов таких схем оставляет желать лучшего - обязательно нужно вводить паразитные параметры (сопротивления и емкости обмоток, внутреннее сопротивление источника питания, последовательные сопротивления конденсаторов и т.п.) Ну и нелинейный сердечник трансформатора, естественно.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 8
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 27.05.09 23:40. Заголовок: Aml пишет: Вообще-т..


Aml пишет:

 цитата:
Вообще-то не испытывал серьезных проблем с моделированием блокинг-генераторов. Хотя сходимость расчетов таких схем оставляет желать лучшего



Привожу цитату из книги Р.Гласс "руководство по надёжному программированию":

"... Какой уровень надёжности я ожидаю? Такой же, как при покупке билета на самолёт? Как вам понравится следующие объяснения представителя авиакомпании: "Мужайтесь, Госпожа Робинсон, у самолёта, на котором летел Ваш муж, отказали только двигатели. Корпус и крылья были в полном порядке. Но мы не делаем двигатели, так что в действительности это - не наша вина".

и далее

"По-моему, основная причина заключается в том, что заказчик самолёта требует обеспечить немыслимо высокий уровень надёжности,в то время как заказчик вычислительных систем не делает этого. Их так часто бьют по голове, что они теряют ясность мысли. Но моя-то голова сделана из бетона, я нахожусь в здравом уме и упрям, как миссурийский мул. Я считаю, что так же неприемлемо позволить набору устройств, называемому вычислительной системой, быть надёжным..."

Как поступать практически?

Пост "тау" отослал меня на форум. Просмотрел я его внимательно на предмет имитации блокинг-генератора, а "воз и ныне там". Модель " не сходится". Во-первых, неадекватная модель транзистора. Во-вторых, имитация сильной обратной связи как трансформаторной, так и в транзисторе через базовый ток и носителей в базе - не дает даже правильный вид наблюдаемых осциллограмм.

В книге Лекции по моделированию элементов интегральных схем.djvu в гл. 4 "Общие вопросы моделирования элементов ИС" рассмотрена классификация моделей и программных комплексов для моделирования вольт-амперных характеристик. Рекомендуется калибровка модели элемента цепи с целью соответствия модели и настоящего компонента.

Как можно добавить в SPICE модель новые зависимости, например лавинный?

Вынужден вернуть и начать от печки. Если MicroCap или другой продукт не умеет, тогда можно ли добавить внешнюю подпрограмму для решения нелинейных уровнений транзистора с лавинным эффектом? Или выполнить реализацию на пассивных и зависимых источниках тока, напряжения модели транзистора?


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 723
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 28.05.09 14:53. Заголовок: Если продолжать анал..


Если продолжать аналогию с самолетом, то сегодняшний уровень развития систем моделирования электронных устройств соответствует примерно самолетостроению двадцатых готов прошлого века. Тогда авиация тоже была, но назвать ее всепогодной, сверхнадежной и безопасной, увы, нельзя :)
Будут ли системы моделирования такими же надежными, как современные аэробусы? Возможно, да. Однако, если современный аэробус пытаться использовать в нештатном режиме - посадить на грунтовый аэродром, заставить выполнять фигуры высшего пилотажа (самолеты ведь в принципе их делают), и т.п. то с пассажирами тоже может быть множество всяких неприятностей. И чтобы этого не происходило обязательно есть инструкции, ограничения, только при соблюдении которых будет обеспечена безопасность полета.
Так и с системами моделирования. Адекватность результатов моделирования гарантируется не в произвольном случае при любых условиях, а лишь в определенной области - области применимости. Эта область применимости зависит от ограничения моделей и вычислительных алгоритмов. И при использовании систем моделирования такие ограничения знать обязательно.
Если продолжить аналогию с авиацией, то пассажир совсем не обязан знать и соблюдать условия, при которых гарантируется безопасный полет. А вот летчик эти условия знать обязан. И не только знать, но и соблюдать. А пользователь систем моделирования пока еще не пассажир, а летчик. Где-то так...

 цитата:
Если MicroCap или другой продукт не умеет, тогда можно ли добавить внешнюю подпрограмму для решения нелинейных уровнений транзистора с лавинным эффектом?


Если не ошибаюсь, сам по себе такие задачи решает LabView и тому подобные системы.
По поводу интеграции внешней подпрограммы для решений нелинейных уравнений - сомневаюсь, по моему, такой возможности нет.
Как вариант, можно связаться с разработчиками Micro-Cap и обсудить с ними задачу встраивания модели транзистора с лавинным пробоем. Из опыта общения с ними у меня сложилось впечатление, что они достаточно охотно идут на контакт и добавляют в Micro-Cap различные новшества по просьбе пользователей.

По поводу создания такой модели существующими средствами Micro-Cap ничего посоветовать не могу, поскольку с ее структурой не разбирался. Когда мне понадобилось грубо имитировать пробой, просто ограничился подключением стабилитрона параллельно транзистору.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 9
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 28.05.09 19:41. Заголовок: Хочется поделится ещ..


Хочется поделится ещё одним впечатлением о книге Р. Клатте ""PASCAL-XSC язык численного программирования". Сам не новичок в программировании. Есть успешно внедренные проекты, однако результаты исследования о надёжных стандартно известных методов программ были для меня полным откровением.

Концепция достоверных численных вычислений.

"... Как следствие, разработчики систем программирования для численных приложений, основанных на замене точного результата одним приближенным, обычно "машут рукой" на оценку погрешности, и пользователь не может точно сказать, с какой т очностью будет подсчитана, например, даже такая величина, как exp(0.0001).
Кроме того, серьезным изъян имеется в самой идее замены точного значения одним приближенным. Дело в том, что в этом случае не гарантируется, вообще говоря, корректность проверки численных соотношений: если у вас в программе имеется, например, оператор

if x < 0 then A else B,

а x вычисляется приближенно, то вы никогда не сможете быть уверены в правильном ветвлении, поскольку, скажем, вычисленное значение 0.013 может заменить точное значение, равное -0.02.

...""...

использование на практике показало очевидную ограниченность приближенного значений строгих и точных математических объектов.

Есть другой , альтернативный подход, получивший название интервального вычисления.

Профессор университета Вены П. Скалички наполовину с юмором, а наполовину всерьез, заявил: "С тех пор, когда я подробнее узнал о принятых способах выполнения машинных вычислениях, очень опасаюсь ходить по мостам и оказываться внутри других сложных инженерных сооружений..."

Ссылка: PASCAL-XSC


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 10
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 30.05.09 11:11. Заголовок: Aml пишет: Это не я..


Aml пишет:

 цитата:
Это не является специфической особенностью Micro-Caр. Тоже самое будет и в других программах моделирования. Просто, как уже отмечалось, лавинный пробой выходит за границы области применимости стандартных Spice-моделей, представляемых разработчиками полупроводниковых приборов, поскольку такой режим работы не является штатным режимом транзистора.



Необходимо добавить в Micro-Cap новую уточнённую модель транзистора. Дьяконов В.П., автор книги "Лавинные транзисторы и тиристоры" предложил уточнённую модель биполярного транзистора, которая позволяет моделировать лавинные и другие эффекты.

Выкладываю конспект (отсканированные страницы с.113-120) - Универсальная математическая модель биполярного транзистора.

"...
2.6. Универсальная модель биполярного транзистора.

В литературе описано большое число математических моделей биполярных транзисторов: Эберса-Молла, Линвилла, Агананяна, Гуммеля-Пуна и др. Эти модели, встроенные в современные программы схемотехнического моделирования (Pspice, MicroCap? Electronics WorkBench и др.), с приемлемой точностью позволяют рассчитывать ряд импульсных устройств. Однако они не вполне удобны для расчёта в широком диапазоне рабочих напряжений и токов, так не учитывают (или учитывают не вполной мере) явления, наблюдаемые при работе транзистора в лавинном режиме.

Ниже описана математическая модель биполярного транзистора, в которой учитывается большинство главных факторов, влияющих на работу транзистора в области больших токов и напряжений [86]. Модель описывает эффекты лавинного умножения носителей, первичного и вторичного пробоя, эффекти Эрли и Кирха (спад частоты в области больших токов), спад коэффициента передачи тока эммитора в обычном режиме и при больших токах, смыкания области объёмного зарядас эммитором в лавиннном режиме с ограниченной областью объемного заряда и др. Модель базируется как на обычных физических представлениях о работе транзистора, так и на развитых [8,84].

Примечание
Ссылки на источники:

8. Дьяконов В.П., Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах.- изд. "Советсвое радио".-1973.
84. Дьяконов В.П., Анализ переходных процессов емкостного релаксатора на лавинном транзисторе с учётом основных факторов его инерционности // Радиотехника и электроника, №6, 1979.
86. Дьяконов В.П., Самойлова Т.А., Математическая модель биполярного транзистора для обычного и лавинного режима работы // Радиотехника, №10, 1979.

..."

Буду признателен за помощь и ссылки с целью изменить SPICE модель транзистора в MicroCap, например 2N2222A, до универсальной модели с лавинным эффектов.


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 27
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 30.05.09 11:50. Заголовок: Практическое использ..


Практическое использование лавинного эфекта для биполярных транзисторов лишено смысла. Вряд ли найдутся серьезные разработчики, заинтересующиеся этой идеей. Нарушать предельные режимы транзисторов ЗАПРЕЩЕНО. Утяжелять модель из-за этой , извините ,прихоти - нерационально. Симулируемые результаты работы модели все равно будут отличаться от реалий в связи с большим разбросом лавинных параметров реальных транзисторов.

Если Вы так хотите иметь подобную модель - для симуляции, поставьте параллельно к-э транзистора ключ управляемый напряжением. Укажите сопротивление ключа эквивалентное процессу пробоя, верхнее напряжение начала пробоя (когда ключ включится) и нижнее напряжение прекращения пробоя (когда ключ выключится). Это простейшая модель. Идя по такому пути и наращивая модель , можно сделать зависимость напряжения срабатывания ключа не только от напряжения к-э но и от тока\напряжения б-э.
Вот только смысл таких усилий мне непонятен, честное слово.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 11
Зарегистрирован: 24.05.09
Откуда: Россия, С.-Петербург
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 07:46. Заголовок: тау пишет: Практиче..


тау пишет:

 цитата:
Практическое использование лавинного эффекта для биполярных транзисторов лишено смысла. Вряд ли найдутся серьезные разработчики, заинтересующиеся этой идеей. Нарушать предельные режимы транзисторов ЗАПРЕЩЕНО. Утяжелять модель из-за этой , извините ,прихоти - нерационально. Симулируемые результаты работы модели все равно будут отличаться от реалий в связи с большим разбросом лавинных параметров реальных транзисторов.



Как медленно технология становится массовой!

30 лет назад Дьяконов и соавторы показали, что лавинное умножение носителей есть фундоментальное свойство полупроводникового перехода.

Цитата из книги стр. 18:

"...
1.1.7. Выводы о свойство лавинного пробоя p-n перехода

1. Лавинное умножение носителей в p-n переходах является фундаментальным физическим явлением, которое наблюдается в различных переходах на полупроводниках различного типа и, прежде всего, в самых распространенных - германии и кремнии.
2. Название "пробой" для эффекта увеличения тока при росте напряжения на переходе является не вполне удачным, так как процесс роста тока при отсуствии или ограничении вторичных эффектов (например, теплового или микроплазменного пробоя) является вполне обратимым и не ведущим к разрушению приборов. Высокая надёжность приборов, использующих сильно выраженный эффект лавинного умножения носителей в переходе доказана серийным выпуском в огромных масштабах кремневых стабилитронов, лавинных фотодиодов, лавинно-пролётных диодов и лавинных транзисторов.
3. Эмпирическая формула Миллера неплохо описывает резкий рост коэффициента лавинного умножения носителей М при наступлении лавинного пробоя, когда обратное напряжение на переходе приблибжается к пробивному Um. При этом значение М лежит в пределах от 1 до бесконечности.
4. Важно отметить, что значение М>1 отмечается даже при напряжениях, намного меньших Um, что приводит к значениям asM> 1 [48] и превращает лавинные транзисторы в негатроны - приборы, имеющие S- и N- образные вольтамперные характеристики.
5. Резкость наступления лавинного пробоя зависит от показателя n формуле Миллера.
6. Последовательное омическое сопротивление Rd диода делает кривые пробоя более плавными. Напряжение на p-n-переходе при этом может превышать Um, но коэффициент лавинного умножения М определяется напряжением на зажимах диода за вычетом падения напряжения на сопротивлении Rd.
7. Лавинный пробой развивается очень быстро, поскольку область умножения носителей занимает малую часть ширины очень тонкого p-n перехода, при этом умножение носителей происходит в области сильного электрического поля. Время развития пробоя - тысячные доли наносекунды, что позволяет считать лавинное умножение носителей безынерционным процессом.
8. Неконтролируемый лавинный пробой крайне опасен для диодов и транзисторов, поскольку способен мгновенно вывести их из строя, однако контролируемый лавинный пробой шиоко используется на практике.

..."

Как уже сообщал выше меня интересует "вменяемая" модель процесса в блокинг-генераторе на транзисторе и импульсного трансформатора, а также прохождение импульса с базы на коллекторную индуктивную нагрузку. У Дьяконова осциллограммы расчетные и измеренные совпадают.

SPICE модель без лавинное эффекта совершенно не сходится.

Блокинг-генератор, когда в базе например катушка, в режиме автогенерации можно правильно понять лишь с использованием свойства отрицательного сопротивления или S- образная вольт-амперная характеристика перехода база-эмиттер. Напряжение наступления лавинного режима может произойти при небольших напряжениях - от 7 В на коллекторе в схеме с общим эмиттером.

Как инженер я требую от инструмента, в данном случае модель транзистора должна быть адекватной практике. Макет на реальных транзисторах отлично запускаются и автогенерируют на импульсном трансформаторе. Математическая модель совершенно не работает!

И Вы, предлагаете спокойно на эту полуправду смотреть и пользоваться полуфабрикатом бледного отражения реального транзистора!?

анализ и синтез Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 12
Зарегистрирован: 24.05.09
Откуда: Россия, С.-Петербург
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 13:05. Заголовок: Конспект книги: Чуа..


Конспект книги:

Чуа Л.О., Пен-Мин Лин, Машинный анализ электронных схем. Пер. с англ. // [текст].- Москва.-изд. Энергия.-1980.-640 с., ил.

Машинный анализ электронных схем (моделирование электронных элементов).djvu

анализ и синтез Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 28
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 13:49. Заголовок: У меня создается впе..


У меня создается впечатление что Вы , askcap и являетесь Дьяконовым, упорно рекламирующим здесь негатроны, которые не только вышли из моды , но и крайне опасны в смысле надежности. Разработчики даже туннельные диоды перестали применять, хотя "опасность" туннельного эфекта на порядки ниже лавинного.
Вот ваши же слова:

 цитата:
лавинный пробой крайне опасен для диодов и транзисторов, поскольку способен мгновенно вывести их из строя



askcap пишет:

 цитата:
SPICE модель без лавинное эффекта совершенно не сходится.

Это неправда, все прекрасно сходится и без лавинного эффекта.

askcap пишет:

 цитата:
Как инженер я требую от инструмента, в данном случае модель транзистора должна быть адекватной практике. Макет на реальных транзисторах отлично запускаются и автогенерируют на импульсном трансформаторе. Математическая модель совершенно не работает!


а я не требую, потому что симуляторы нормально симулируют схемы простейших и более сложных блокинг генераторов.
Например !


askcap, почему вышеприведенная схема блокинг-генератора работает в симуляторе, ведь не должна по-Вашему по причине отсутствия пресловутого лавинного пробоя


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 724
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 14:20. Заголовок: И Вы, предлагаете сп..



 цитата:
И Вы, предлагаете спокойно на эту полуправду смотреть и пользоваться полуфабрикатом бледного отражения реального транзистора!?


Вы столкнулись лишь с одним проявлением некорректности модели в частном применении. Поверьте, их десятки.
Хрестоматийный пример: если в схеме есть последовательно включенные конденсаторы - она не моделируется.
И в этом, действительно, нет ничего страшного. В очередной раз повторяю - у систем моделирования (и моделей) есть четкая область применимости. Внутри области моделирование производится вполне корректно. Вне области применимости - нет. Точно также, как и у реальных приборов.

 цитата:
Как инженер я требую от инструмента, в данном случае модель транзистора должна быть адекватной практике.


Как инженер вы должны понимать, что у любого измерительного инструмента есть область применимости. Если измерять напряжение в высокоомных цепях вольтметром с низким входным сопротивлением, то результаты будут неадекватны. И на эту "полуправду" все спокойно смотрят как минимум 100 лет. А почему? Потому что есть инструкция, в которой указаны возможности прибора и подразумевается, что проводящий измерение обладает достаточной квалификацией для того, чтобы не использовать не предназначенный для того прибор.

Так и тут - если знать инструкцию, то никаких проблем нет. Да, лавинный пробой не моделируется. Но этого никто и не обещал. Как говорят программисты, "это не баг, это - фича". Читайте доки, они рулез :)

А если серьезно, то системы моделирования являются достаточно сложным инструментом. Модели в них - заготовки для большинства случаев, встречающихся в практике. Но не для всех. Если чего-то там нет, то возможно три пути:
1. Смириться
2. Написать разработчикам и ждать
3. Сделать самому.

Главное - не питать излишних иллюзий о всемогуществе современных информационных технологий :). Собственную голову ничто не заменит. По крайней мере, пока :)

Кстати, возвращаясь к первому сообщению темы:

 цитата:
Запускал эту схему в симуляторе OrCAD - моделирование совпала с практикой.
Как калибровать модель транзистора в Micro-CAP, чтобы получить исключить ошибку


Как ведет себя Микрокап с той же моделью транзистора (взятой из OrCad)?

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 725
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 14:29. Заголовок: Буду признателен за ..



 цитата:
Буду признателен за помощь и ссылки с целью изменить SPICE модель транзистора в MicroCap, например 2N2222A, до универсальной модели с лавинным эффектов.


Сейчас нахожусь в нестационарном состоянии: безработный и без постоянного места жительства :). В течение пары недель все должно придти в норму и после этого буду всерьез заниматься Micro-Cap_ом. Возможно, что и модель лавинного пробоя смогу добавить. Но сейчас для этого нет возможности.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 13
Зарегистрирован: 24.05.09
Откуда: Россия, С.-Петербург
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 23:21. Заголовок: тау пишет: askcap и..


тау пишет:

 цитата:
askcap и являетесь Дьяконовым, упорно рекламирующим здесь негатроны, которые не только вышли из моды , но и крайне опасны в смысле надежности.



Названным автором не являюсь. Реклама дело хорошее, однако цель иная. Как и обозначил выше - анализ и синтез простой схемы блокинг-генератора в программе Micro-Cap.


тау пишет:

 цитата:
негатроны, которые не только вышли из моды , но и крайне опасны в смысле надежности.



Этот вывод не имеет никакого подтверждения практикой!

Цитата в той же книге Дьяконова:
"...
3.5. Надежность и предельные возможности транзисторов в лавинном режиме

3.5.4. Данные о надёжности работы транзистора в лавинном режиме

... Отсутствие заметно выраженных изменений этих параметров свидетельствует о том, что нет каких-либо специфических признаков деградации параметров транзисторов при длительной работе в лавинном режиме.

За 10000 ч непрерывной работы было отмечено два катастрофических случая отказа. Первый отказ произошёл через 2500 часов и был обусловлен коротким замыканием нагрузки. Точную причину второго отказа установить не удалось. таким образом ориентировочная интенсивность отказа составляет менее (1-2)*10e-6? что подтверждает высокую надёжность работы обычных диффузионных транзисторов в лавинном режиме. Достаточно высокую надёжность сплавных транзисторов
отмечено в [66].

3.5.4 Температурная стабильность параметров лавинных транзисторов
...
эксперимент показывает, что в диапазоне температур от -60 до +60 гр. Цельсия время нарастания импульса в релаксационных схемах изменяется не значительно.
...
Таким образом, лавинные транзисторы имеют высокую температурную стабильность параметров. Это является реальной предпосылкой у созданию импульсных устройств на лавинных транзисторах с повышенной температурной стабильностью и высокой надёжностью.

..."

тау пишет:

 цитата:

Это неправда, все прекрасно сходится и без лавинного эффекта.



Вы использовали вариант схемы блокинг-генератора, в которой включенн конденсатор в обратную положительную связь. По-этому и не составило труда программе сформировать осциллограммы.

При исключении конденсатора C3, резистора R3, диода D1 предлагаю вновь собрать схему и просчитать осциллограммы. Напряжение питания V=3 В, импульсный трансформатор (МИТ-3В: К17,5х8х5 М2000НМ1-Б -50+50+50 Витков. ПЭЛШО 0.14, L=3,75 мГн). и сравним с практическими осциллограммами.

Практическая схема блокинг-генератора: -

Измерение (напряжения на коллекторе №1, ток в эмитторе на шунте 0.91 Ом №2) : - )

На коллекторе (использовался BC807) 120 В импульсного напряжения. использовал и другие транзисторы. В частности КТ814Г. Его нагревал до +200 гр. Цельсия и транзистор успешно работал.


Соответственно при моделировании мы должны "попасть не в небо пальцем":

  • наблюдать похожий характер импульсов;
  • наблюдать импульс длительностью с точностью пусть +/- 30%;
  • частоту следования импульсов.

    Литература по работе блокинг-генератора на транзисторе:
    Основы импульсной и цифровой техники. Учебное пособие для вузов. //[текст] - Москва.-изд. Советское радио.-1975.-440 с. - http://narod.ru/disk/9025450000/book001_part.djvu.html

  • анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 29
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 08:03. Заголовок: симулируется всё ht..


    симулируется всё



    910m - это 910 миллиом, не подумайте что 91 ом
    R4 1,2 Ома имитирует сопротивление первички по постоянному току.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 14
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 16:11. Заголовок: тау пишет: симулиру..


    тау пишет:

     цитата:
    симулируется всё



    Вы лавинный эффект транзистора заменили на специальный элемент - стабилитрон, который и обеспечивает резкое увеличение тока при достижении напряжения стабилизации стабилитрона. Предлагаю отключить стабилитрон и посмотреть импульсы.


    Скачал симулятор электронных схем EE-SIM TOOL, за подсказку благодарю. Прогоню схему блокинг-генератора и прохождение импульса с индуктивной нагрузкой в EE-SIM.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 33
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 16:35. Заголовок: askcap пишет: Вы ла..


    askcap пишет:

     цитата:
    Вы лавинный эффект транзистора заменили на специальный элемент - стабилитрон,

    Конечно , какая разница по сути работы СХЕМЫ где произойдет пробой - в стабилитроне или в транзисторе? Но для стабилитрона это штатный режим и напряжение пробоя более-менее определено , разработчику есть на что опереться .
    askcap пишет:

     цитата:
    Предлагаю отключить стабилитрон и посмотреть импульсы.

    Импульсы будут киловольтовые , и что ?



    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 15
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 17:10. Заголовок: тау пишет: Импульсы..


    тау пишет:

     цитата:
    Импульсы будут киловольтовые , и что ?



    Модель не адекватная.

    Полупроводниковый p-n обладает "фундаментальным свойством лавинного умножения зарядов".

    Это должно быть учтено в адекватной модели транзистора. Мгновенное увеличение тока может происходить в моменты времени, когда ток на базе и напряжение на коллекторе (для некоторых транзисторов он равен около 10 В, для промышленных TTL микросхемах около 7 В). Возникает импульсная помеха. Индуктивность хорошо воспринимает этот импульс и транслирует в обмотки.

    Со стабилитроном идея разумная - он преспособлен для такой работы. Есть и специальные лавинные транзисторы, например ZTX415 avalanche transistor, у которого напряжения лавинного процесса нормировано.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 34
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 17:47. Заголовок: askcap пишет: Модел..


    askcap пишет:

     цитата:
    Модель не адекватная.

    Модель биполярного транзистора адекватна в границах применимости, Вам неоднократно об этом говорили. Хотите выйти за рамки - экспериментируйте на собственных моделях и реальных транзисторах. Зачем напрягать производителей , чтобы из них в конце концов выдавить такой параметр? Они (теоретически ) может и пойдут на такой шаг, инициированный Вами. Но транзисторы от этого станут дороже, кому это надо?
    Представьте ситуацию , что на транзистор записано предельное рабочее напряжение 100 Вольт. И лавинный пробой на 180+-20 вольт. И вот ОТК с конвейера сообщает директору об остановке производства , потому что пошли приборы у которых лавинный пробой начинается выше 200 вольт и выходит за рамки допуска по спецификации. Он жеж нестабильный, и чем тоньше\чище технология , тем выше напряжение пробоя.

    askcap пишет:

     цитата:
    Полупроводниковый p-n обладает "фундаментальным свойством лавинного умножения зарядов".

    На здоровье, пусть обладает, вот только применять его нерационально. И не применяет никто кроме Дьяконова сотоварищи 30 лет назад. А все остальные боятся этого эффекта и делают все от них зависящее чтобы не превысить предельно допустимые режимы. А военным разработчикам за такие просчеты вообще труба тюрьма грозит. Если вдруг что.

    Молния - тоже фундаментальное проявление законов природы. Но играться с ней никому не охота. Помоделировать можно.....поизучать.....отчетик написать.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 726
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 22:41. Заголовок: По поводу нестабильн..


    По поводу нестабильности параметров.
    Как-то в студенческие годы забыл, какой из диодов КД102, а какой КД103 (они внешне похожи лежали в одной коробке). Но у одного по паспорту обратное напряжение 50В, а у другого - 200. Решил проверить вводом в пробой (на стенде). Различить не удалось, поскольку оба не вошли в лавинный пробой при обратном напряжении 400В :) Проверив десятка два из коробки и плюнул - какая разница, какой в схему ставить :)

    Что касается модели лавинного пробоя, то сделать, думаю, реально. А вот насколько она будет адекватно описывать транзисторы из разных партий - другой вопрос. Поскольку по напряжение лавинного пробоя транзисторы не нормируются, то все равно особой точности ждать не стоит.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 35
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 23:31. Заголовок: Кстати точно - не та..


    Кстати точно - не так давно сталкивался с противнейшим явлением "избыточного" запаса по лавинному пробою.
    У диодов Филипс BY229X-600 по спецификации напряжение обратное максимальное 600 Вольт. но держут выше 1000. кажется 1200 было
    фактически. А у аналогичных диодов BY229X-600 фирмы VISHAY лавинное оказалось в районе 800 вольт.
    Не буду подробно расписывать, но кое-кто на этом попался и получил кучу неприятностей. Мне тогда тоже досталось
    Собственно поэтому я тут и высказываюсь, убеждаю askcap-а - рефлекс типа срабатывает.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 16
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 02.06.09 10:01. Заголовок: Aml пишет: Но у одн..


    Aml пишет:

     цитата:
    Но у одного по паспорту обратное напряжение 50В, а у другого - 200. Решил проверить вводом в пробой (на стенде).



    В книге Дьяконов при объединении коллектора и базы, аналог диода, рассмотрены лавинные характеристики. Управляемого низковольтного лавинного процесса нет. Имеется лавинный пробой...

    Aml пишет:

     цитата:
    Поскольку по напряжение лавинного пробоя транзисторы не нормируются, то все равно особой точности ждать не стоит.



    Это и есть калибровка модели, когда вводим измеренные параметры. Выбирается модель и проводятся измерение лавинного напряжения при заданном токе на базе и напряжении на коллекторе. Это значение будет вводится в параметры модели.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 727
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 02.06.09 18:16. Заголовок: Это и есть калибровк..



     цитата:
    Это и есть калибровка модели


    Если модель требует подгонки под конкретный экземпляр прибора, то ее использование лишено здравого смысла.
    Цель моделирования - по имеющимся моделям предсказать поведение устройства "в железе", а не индивидуальной подгонкой моделей добиться похожести результатов моделирования на экспериментальные данные.

    Кстати, а чем не устраивает вариант из параллельно включенных моделей транзистора и стабилитрона?

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 17
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 10:50. Заголовок: Aml пишет: Если мо..


    Aml пишет:

     цитата:

    Если модель требует подгонки под конкретный экземпляр прибора, то ее использование лишено здравого смысла.



    Хотелось бы предложить статьи на тему моделей:

    1. Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспкт. // [текст] "Компоненты и технологии", №7, 2004 г., с.26-29, №8 с. 56-61 и №9, с.32-39. - http://www.rlda.ru/MOSFET_Simulation.pdf
    2. В.Денисенко, Компактные модели МОП-транзисторов для СБИС. Часть 1. // [электронный ресурс] - http://www.electronics.ru/issue/2004/5/20
    3. В.Денисенко, Компактные модели МОП-транзисторов для СБИС. Часть 2. // [электронный ресурс] - http://www.electronics.ru/issue/2004/6/18

    "...
    ТОЧНОСТЬ
    Под точностью модели обычно понимают степень соответствия модельных характеристик транзистора, рассчитанных с использованием параметров модели, полученных в результате экстракции, экспериментальным характеристикам транзистора. Количественной мерой точности является погрешность. Экстракцию параметров обычно выполняют, используя группу транзисторов. Поскольку в группе всегда существует статистический разброс, модель описывает характеристики некоторого абстрактного транзистора, не являющегося элементом группы. При попытке оценить точность модели возникает парадокс. Если точность рассматривать как меру соответствия модели и объекта, то непонятно, с каким конкретно транзистором производить сравнение, поскольку среднеквадратическое отклонение относительного разброса тока стока двух рядом расположенных транзисторов с номинальной длиной канала 0,18 мкм может достигать 30% [1]. Таким образом, погрешность, определенная по разнице ординат, как это было принято для длинноканальных транзисторов, не всегда адекватно отражает результирующую точность моделирования субмикронных транзисторов [2].
    Пример несовершенства оценки точности по степени совпадения кривых приведен на рис.1. На первый взгляд, вольт-амперные характеристики (рис.1а) практически совпадают, но при моделировании выходной проводимости транзистора точность модели чрезвычайно низкая (рис. 1б). Приведенный пример характерен для большинства моделей, использующих разные функции для описания крутой и пологой областей вольт-амперных характеристик МОП-транзистора, в частности, для модели Level 3. Точка V0 является точкой "сшивания" двух функций, в которой производная имеет разрыв.
    ..."

    "...
    Таким образом, причины, влияющие на получение ошибочного результата моделирования при использовании "точной" модели, нельзя рассматривать как досадное недоразумение. Они имеют систематический характер и оказывают существенное влияние на качество модели, а поэтому должны быть систематизированы, охарактеризованы и приняты во внимание как пользователями, так и разработчиками компактных моделей. Многие меры по преодолению перечисленных здесь проблем кажутся очевидными и связаны с организацией процесса разработки и эксплуатации модели. Однако существует и альтернативный путь - использование метода макетирования, когда вместо математических моделей используется реальный транзистор.
    ..."

    Таким образом модель всегда будет неадекватной конкретному образцу.



    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 729
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 12:57. Заголовок: Информация из перечи..


    Информация из перечисленных статей никак не противоречит моему высказыванию. Скорее, наоборот. :)
    А если учесть, что там рассматривается системы моделирования с точки зрения разработчика полупроводниковых приборов (СБИС), а не с точки зрения инженера-схемотехника или радиолюбителя, то и выводы получаются несколько разные. Начнем с того, что разработчиков СБИС в меньшей степени лимитируют вычислительные затраты и стоимость программного обеспечения, нежели рядового инженера-схемотехника. Во-вторых, требования к точности разные. Для схемотехника как правило, достаточно, чтобы параметры, обеспеченные в модели, отличались бы менее, чем на 50% от среднестатистических параметров (приводимых в справочнике) реального прибора. Плюс имели бы минимальные требования к вычислительной мощности.

    О том, что существующие модели несовершенны, я писал еще в первом своем сообщении. Нужно ли их совершенствовать? Безусловно, надо. Но, по моему мнению, модель в первую очередь:
    1. Обеспечивать качественную воспроизводимость процессов в реальном приборе (если лавинный пробой в реальном приборе, то он должен быть и в модели. Он может быть не при том напряжении, что в конкретном приборе, но все-таки должен быть)
    2. Обеспечивать приемлемую количественную воспроизводимость внешних параметров (т.е. полученное значение параметра не должно больше, чем на 30-50% отличаться от среднестатистического (справочного) параметра прибора)
    3. Возможность выбора уровня сложности (для оптимизации требования к вычислительным ресурсам).

    Что касается модели лавинного транзистора, то надо попытаться создать ее хотя бы на качественном уровне.
    Однако согласен с тау, что на данный момент использование лавинного эффекта в практических разработках вряд ли целесообразно. Тем более, что именно лавинных транзисторов (где это паспортный режим) - очень мало. А остальные не подходят для промышленного (и тем более, специального) из-за нештатности используемого режима. Впрочем, это к созданию модели отношения не имеет.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 730
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 15:47. Заголовок: Выкладываю схему бло..



     цитата:
    Выкладываю схему блокинг-генератора на импульсном трансформаторе МИТ-3В. Практически измерил работу для разнообразных транзисторах. А вот модель не удается приблизить к практике. Неустойчиво считает и не формирует даже повторяющиеся осциллограмм.


    Судя по всему, там проблема не с моделью транзистора, а с моделью трансформатора. Схема при включении формирует один импульс, но после выключения транзистора весь ток, задаваемый резистором R5, уходит в индуктивность L1. Ток базы всегда равен нулю и условий для повторного открытия транзистора не создается.

    Очевидно, что отсутствие модели лавинных эффектов тут ни при чем, напряжения маленькие и до них дело не доходит.

    Удивительно, что схема работает в реале. Видимо ток реального трансформатора все-таки меньше и не шунтирует базу.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 731
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 15:57. Заголовок: А вот если поставить..


    А вот если поставить последовательно с L1 конденсатор - все благополучно работает.


    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    постоянный участник


    Сообщение: 55
    Зарегистрирован: 20.10.07
    Откуда: остров Крым
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 22:34. Заголовок: А вот если поставить..



     цитата:
    А вот если поставить последовательно с L1 конденсатор - все благополучно работает.


    мож реальная катушка имеет межвитковую емкость?

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 732
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 23:20. Заголовок: Межвитковая емкость ..


    Межвитковая емкость по эквивалентной схеме параллельна индуктивности. А надо последовательно. Если грубо, то эта емкость открывает транзистор (заряжается входным током до порогового значения, открывает, а потом процесс переключения идет за счет ПОС через трансформатор). А закрывается транзистор как и прежде, когда ток L1 станет равным току через R5.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 18
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 04.06.09 15:54. Заголовок: Собрал модель блокин..


    Собрал модель блокинг-генератора на другом инструменте. Ссылка
    http://www.simetrix.co.uk/


     цитата:

    SIMetrix and SIMetrix/SIMPLIS Versions
    There are two full versions of SIMetrix and two versions of SIMetrix/SIMPLIS. Licensing options are designed to provide maximum flexibility and include stand alone, network and portable variants.



    Версия freesoft, т.е. легальная, что очень хорошо.

    В Micro-Сap не удалось получить импульсы и характер генерации при различных напряжениях на базе.

    В SIMetric получилось работа модели близкая к практике.


    1. СХЕМА:



    2. ИМПУЛЬСЫ НА КОЛЛЕКТОРЕ







    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 735
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 04.06.09 23:23. Заголовок: В SIMetric получилос..



     цитата:
    В SIMetric получилось работа модели близкая к практике


    Да вроде как и в Micro-Cap примерно то же получается


    Схемный файл МС9 - http://slil.ru/27728310

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 19
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 05.06.09 12:57. Заголовок: Aml пишет: Да врод..


    Aml пишет:

     цитата:

    Да вроде как и в Micro-Cap примерно то же получается



    Запустил модель. Сравнил с диаграмами. У меня в 10 раз частота импульсов меньше, чем у Вас.

    А как "сверить часы"? Может настройки по умолчанию отличаются у моей версии Micro-Cap от вашей?

    p.s. Где посмотреть как перевести параметры отечественного феррита М2000НМ в модель Micro-Cap?

    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 736
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 05.06.09 19:22. Заголовок: У меня в 10 раз част..



     цитата:
    У меня в 10 раз частота импульсов меньше, чем у Вас.


    Есть такое дело. Я что-то намудрил при сохранении файла. В результате у модели сердечника не сохранились площадь сечения и длина средней линии. Получилось вот так:
    .MODEL N87 CORE (MS=392.481576K A=24.260134 K=27.385225)
    А при расчете недостающие параметры были заменены значениями по умолчанию. Вот и получился другой результат.

    Модель сердечника там должна была быть вот такая:
    .MODEL N87 CORE (A=24.260134 AREA=0.5 K=27.385225 MS=392.481576K PATH=4)
    Исправленная схема - http://slil.ru/27730780

     цитата:
    Где посмотреть как перевести параметры отечественного феррита М2000НМ в модель Micro-Cap?


    Для расчета параметров модели феррита нудна его предельная петля гистерезиса. Параметры петли (характерные точки) вводятся в оптимизатор моделей Micro-Cap (Model) и он рассчитывает параметры модели.
    Тема про это уже была - http://microcap.forum24.ru/?1-4-0-00000008-000-0-0-1241129355

    Для М2000НМ1 я делал модель, сейчас попробую найти параметры.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 20
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 17.06.09 09:47. Заголовок: Проверил блокинг-ген..


    Проверил блокинг-генератор с общим коллектором. Выполнил исследование модели. Собрал макет.

    СХЕМА БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРА

    Моделирование блокинг-генератор с общим коллектором.png

    ОСЦИЛЛОГРАММА НА БАЗОВОЙ КАТУШКЕ

    Моделирование осциллограмма на катушке в базе.png

    ОСЦИЛЛОГРАММА НА ЭММИТОРЕ

    Моделирование осциллограмма на катушке в эммиторе.png


    Комментарий: На базовую катушку подключил эквивалент щупа осциллографа. На эмииторой катушке напряжение превышает 1000 В.


    ОСЦИЛЛОГРАММЫ МАКЕТА БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРА

    Блокинг-генератор Uпит 1 В.jpg


    Комментарий: На эммиторой катушке напряжение превышает 200 В.


    ВЫВОД:
    Значения импульсного напряжения в модель отличается в несколько раз от макетных измерений.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 39
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 17.06.09 09:58. Заголовок: askcap пишет: Комме..


    askcap пишет:

     цитата:
    Комментарий: На эммиторой катушке напряжение превышает 200 В.


    Вы превысили в несколько раз предельно допустимое напряжение для транзистора BC817.


    askcap пишет:

     цитата:
    ВЫВОД:
    Значения импульсного напряжения в модель отличается в несколько раз от макетных измерений.



    Вывод неверный.

    Имхо вывод должен быть такой: Значение импульсного напряжения в макете и модели во много раз превосходят предельно допустимые режимы. Схема нуждается в доработке. В таком виде её применять нельзя.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 740
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 17.06.09 10:52. Заголовок: ВЫВОД: Значения импу..



     цитата:
    ВЫВОД:
    Значения импульсного напряжения в модель отличается в несколько раз от макетных измерений.


    Не, не так :)
    А вот так: Значение импульсного напряжения в модели без учета паразитных емкостей трансформатора и монтажа отличается в несколько раз от макетных измерений.

    Второй вывод озвучил тау

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 741
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 17.06.09 11:58. Заголовок: Если более подробно,..


    Если более подробно, то величина выброса в данной схеме определяется энергией, накопленной в индуктивности трансформатора и паразитными параметрами схемы (межвитковой и межобмоточной емкостью трансформатора, емкостью монтажа, емкостями транзистора и соответствующими сопротивлениями)

    Если измерить эти параметры на макете и ввести их в модель - совпадение будет намного лучше :)

    А вообще есть общее правило: если работоспособность схемы сильно зависит от паразитных параметров, то такую схему лучше не использовать. Либо отдельно оговаривать конструктивные особенности, обеспечивающие необходимые паразитные параметры.

    В рассматриваемой схеме влияние паразитных параметров очень сильно. К примеру, учет паразитной емкости обмоток в 5пФ уменьшает индуктивный выброс почти в три раза. А при 30пФ - в 6 раз. (на схеме это С2). Вот результаты степпинга от 0 до 50пФ с шагом 5пФ.


    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 21
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 17.06.09 16:31. Заголовок: Aml пишет: Не, не т..


    Aml пишет:

     цитата:
    Не, не так :)
    А вот так: Значение импульсного напряжения в модели без учета паразитных емкостей трансформатора и монтажа отличается в несколько раз от макетных измерений.



    Я б ещё добавил "издержки модели транзистора". Нужно учитывать лавинный эффект полупроводнике. Важно соотношение паразитных емкостей и лавинного размножения тока. т.е. возникновения вольт-амперной характеристики S- и N-. который собственно и ограничивает выброс напряжения на уровне пробоя.

    P.S. "Правда - она и в Африке правда". Макетные измерения должны хотя бы должны быть с точностью +/- 20 %.

    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 40
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 17.06.09 16:46. Заголовок: askcap пишет: Важно..


    askcap пишет:

     цитата:
    Важно соотношение паразитных емкостей и лавинного размножения тока.



    Считаю более важным обеспечивать режим, при котором лавинный пробой транзистора исключается.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 742
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 17.06.09 21:25. Заголовок: Если честно, не похо..


    Если честно, не похоже, что на макете наступил лавинный пробой. Вершина импульса - типичный колокол, а при лавинном пробое, по идее, должно быть обрезание вершины на уровне пробоя.

    Вот как выглядит импульс со стабилитроном на 200В в параллель транзистору (и без него)

    Со стабилитроном (лавинным пробоем) импульс уменьшается по амплитуде, но растет по длительности (энергию из индуктивности вывести все-таки надо :))

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 22
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 17.06.09 22:20. Заголовок: Aml пишет: Если чес..


    Aml пишет:

     цитата:
    Если честно, не похоже, что на макете наступил лавинный пробой. Вершина импульса - типичный колокол, а при лавинном пробое, по идее, должно быть обрезание вершины на уровне пробоя.



    В одной из схем блокинг-генератора мой знакомый изобретатель Бровин подсказал посмотреть ток в катушке. Рассмотрим просто индуктивность. Напряжение, как известно, является результатом изменения тока. Утверждаю, что импульс тока (лавинное размножение зарядов (это и есть ток!) ) является причиной наблюдаемого напряжения на катушке и паразитными емкостями как транзистора, так и обмотки с монтажом. Поставте в цепь коллектора измерительный резистор и посмотрите изменения тока и наложите осциллограммы на катушке.

    U = L dI/dt

    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 744
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 17.06.09 23:02. Заголовок: Утверждаю, что импул..



     цитата:
    Утверждаю, что импульс тока (лавинное размножение зарядов (это и есть ток!) ) является причиной наблюдаемого напряжения на катушке


    У вас сильно превратное представление о работе обратноходового преобразователя напряжения (частным случаем которого является блокинг-генератор). Причиной появления напряжения является не протекание тока через катушку, а как раз наоборот, превращение протекания тока (вспомните катушку зажигания в автомобиле - там ровно то же самое)
    Когда транзистор открыт, через него (и соответственно через обмотку трансформатора) течет ток. Этот ток накапливает энергию в сердечнике трансформатора (в индуктивности, если хотите). А когда транзистор закрывается, ток прерывается. И тут начинает действовать формула U = L dI/dt. Ток скачком поменялся от какого-то значения до нуля. Соответственно, dI/dt стремится к бесконечности и выброс напряжения стремится к бесконечности. Но реально скорость изменения тока все же конечна, плюс есть емкости, на перезаряд которых тратится энергия. Поэтому значение выброса получается конечным, а форма - колокол, потому что фактически работает LC-контур.

    Таким образом, в момент формирования выброса напряжения ток через транзистор равен нулю.
    Странно, что вы этого не знаете, вроде как, это азы ТОЭ.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 41
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 00:28. Заголовок: уважаемый AML ! им..


    уважаемый AML !

    имхо, askcap трудится над моделированием "качера" Бровина
    (популярно http://www.radiokot.ru/lab/analog/20/ )
    это типа трансформатора Теслы в маломощном варианте с автогенератором на транзисторе.

    И похоже на то, что параллельно некоторые поклонники Бровина ищут альтернативные источники энергии , осмелюсь предположить что даже и в результате/процессе лавинного пробоя.

    мне это представляется пустой затеей.


    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 745
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 00:59. Заголовок: Я сам в студенческие..


    Я сам в студенческие годы блокингом для получения высокого баловался (от электрозажигалок до шокеров)
    Но после неудачно разряженного об себя выходного конденсатора 10нФ х 10кВ это баловство бросил
    (никогда не думал, что от удара током стул, на котором ты сидишь, может улететь метра на три назад )

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 23
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 09:10. Заголовок: Aml пишет: Таким об..


    Aml пишет:

     цитата:
    Таким образом, в момент формирования выброса напряжения ток через транзистор равен нулю.
    Странно, что вы этого не знаете, вроде как, это азы ТОЭ.



    Давайте сравним осциллограммы, которые получил при моделировании в EE-SIM программе. В коллектор поставил измерительный резистор для измерения тока.

    БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОР вер. 2


    ОСЦИЛЛОГРАММА ТОКА В КОЛЛЕКТОРЕ


    Максимальный импульсный ток I = 83 мА, минимальный ток I = - 237 мА.


    ВЫВОДЫ:
    1. Модель осциллограммы блокинг-генератора Micro-Cap существенно отличается от EE-SIM.
    2. Макетирование и фиксация осциллограмм с реальным транзистором и импульсным трансформатором ближе к расчету в EE-SIM.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 42
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 09:57. Заголовок: askcap пишет: ВЫВОД..


    askcap пишет:

     цитата:
    ВЫВОДЫ:
    1. Модель осциллограммы блокинг-генератора Micro-Cap существенно отличается от EE-SIM.
    2. Макетирование и фиксация осциллограмм с реальным транзистором и импульсным трансформатором ближе к расчету в EE-SIM.

    анализ и синтез



    Вывод: модель транзистора в ее-sim лучше "откалибрована" . Абзац.

    ЗЫ. это шутка.


    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 24
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 10:13. Заголовок: тау пишет: И похоже..


    тау пишет:

     цитата:
    И похоже на то, что параллельно некоторые поклонники Бровина ищут альтернативные источники энергии , осмелюсь предположить что даже и в результате/процессе лавинного пробоя.

    мне это представляется пустой затеей.



    Действительно анализ качера (качателя индуктивности) или блокинг-генератора - интересная задача.
    Есть эффекты и действующие макеты известные ещё сотню лет назад.

    Вот практически работающая электрическая цепь.

    СХЕМА ПЕРЕДАЧИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ С РОЗЕТКОЙ АВРАМЕНКО


    МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИЗМЕРЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ НА R1


    ФАКТ:
    На резисторе R1 обнаруживается напряжение и ток, достаточный для питания например светодиода, микролампы и т.д. Уверен, что ни одна программа моделирования это зафиксированное электрическое явление не рассчитает.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 43
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 10:49. Заголовок: askcap пишет: Увере..


    askcap пишет:

     цитата:
    Уверен, что ни одна программа моделирования это зафиксированное электрическое явление не рассчитает.


    Зря Вы так уверены, розетка авраменко это просто фокус для людей , малознакомых с электричеством и передачей энергии. "как это так - по одному проводу передавать постоянный ток в лампочку да так что она светится" ???. Да еще в передающем проводе сделать разрыв и в узел завязать (провод в изоляции)

    А на самом деле все очень и очень просто. Достаточно даже в симуляторе нарисовать правильную эквивалентную схему

    всей цепи

    и станет понятно откуда что берется. Только не забудьте про емкости проводников и нити\спирали лампы по отношению не только к окружающим предметам но и про абсолютную электрическую емкость проводников в пространстве. В симуляторе абсолютную емкость можно имитировать сосредоточенными емкостями по отношению к заземлению.
    Никудышнее знание основ электростатики/электродинамики а часто полная тёмность зрителей - благодатная почва такого рода фокусников.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 25
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 13:29. Заголовок: тау пишет: Зря Вы т..


    тау пишет:

     цитата:
    Зря Вы так уверены, розетка авраменко это просто фокус для людей , малознакомых с электричеством и передачей энергии.



    Чтобы предметно обсуждать дам Вам ссылку. Там и патенты зарегистрированные как России, так и в других супостатских странах.

    ОДНОПРОВОДНЫЙ ТОК ВСЕ ЖЕ ПОТЕК

    Качер Бровина лично макетировал и ток в цепи с розеткой Авраменко фиксируется. Ток значительный! Схема элементарная для повторения и натуральных измерений.

    А скептиков за сотню лет набирается большая масса...

    Автор провёл набор опытов с качером и оформил в виде отчёта.

    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 44
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 17:56. Заголовок: В статье по большей ..


    В статье по большей части бред, профанация. Даже обсуждать нет желания.
    Патенты - это не аргумент . Их кто нибудь лицензировал ?
    Где нибудь внедрено ?

    Было бы внедрено - расписали бы большими красными буквами.

    В отчете по второй ссылке - фокус , природу которого я вкратце описал чуть выше. Если автор не видит на своих схемах паразитных емкостей, через которые течет переменный ток и которые также являются элементами выпрямителя , но при этом отсутствуют в схемах как элементы - это личное горе автора .
    askcap, поставьте в симулятор паразитные емкости - убедитесь сами что "природу не обманешь"

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 746
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 18:15. Заголовок: Автор провёл набор о..



     цитата:
    Автор провёл набор опытов с качером и оформил в виде отчёта.


    Никаких "удивительных явлений в схемах не увидел - обычные явления в высокочастотных цепях. Но их трактовка безграмотна до неприличия...
    Впрочем, я никогда не пытаюсь переубедить убежденных людей. Одни верят в бога, другие - в инопланетян, третьи в "передачу напряжения по одному проводу". И мешать им не надо. От веры тоже бывает много пользы.
    Впрочем, все это отношения к Micro-Cap не имеет...
    А теперь вернемся к теме обсуждения.

     цитата:
    Модель осциллограммы блокинг-генератора Micro-Cap существенно отличается от EE-SIM.


    Это вполне возможно, поскольку на результаты оказывают существенное влияние:
    1. Паразитные параметры компонентов.
    2. Модель сердечника.

    Про влияние паразитных параметров я уже писал. Поскольку в схеме EE-SIM не видно учета этих параметров, то лучшее совпадение с макетированием - это, скорее всего, случайность.

    По поводу модели сердечника. Используемая в Micro-Cap модель Джилса-Аттертона очень неточная в целом ряде применений. Более-менее точно моделируется только предельный симметричный цикл перемагничивания, а частные петли и уж тем более несимметричные цикла моделируются в весьма большой погрешностью. Так, к примеру, ошибка по площади петли гистерезиса запросто может составлять 300-400%.

    Величина выброса напряжения определяется энергией, накопленной в сердечнике. А энергия эта зависит от тока и индуктивности. Насколько точно моделируется величина индуктивности при работе по частному несимметричному циклу с заходом в насыщение - очень большой вопрос. Думаю, погрешность там весьма велика.
    И поправить что-либо трудно - выбор моделей сердечника весьма невелик. Хотя в SWCad, к примеру, модель сердечника в большей степени отвечает требованиям схем преобразовательной техники - частные циклы моделируются там значительно точнее (проверено).

    Поэтому меня и не удивляет, что результаты блокинг с насыщающимся трансформатором моделируются не вполне корректно. Этот класс схем вообще сложен для моделирования.
    Однако даже то, что получается, считаю вполне приемлемым.

    Дальнейший путь к улучшению совпадения с макетом - проверка полученной в модели величины индуктивности на выбранном сердечнике и коррекция ее (площадью сечения сердечника) до макетной величины. Второе - учет паразитных параметров трансформатора и монтажа.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 26
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 22:55. Заголовок: Выкладываю осциллогр..


    Выкладываю осциллограмму тока в коллекторе макета:

    ФИГ. 1 НАПРЯЖЕНИЕ НА ШУНТЕ


    ФИГ. 2 НАПРЯЖЕНИЕ НА ШУНТЕ ОДИН ИМПуЛЬС


    ФИГ. 3 НАПРЯЖЕНИЕ НА ШУНТЕ НАЧАЛО ИМПУЛЬСА



    Хотелось бы, чтобы модель хотя бы близко соответствовала процессу в схеме.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 27
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 23:02. Заголовок: Aml пишет: Дальнейш..


    Aml пишет:

     цитата:
    Дальнейший путь к улучшению совпадения с макетом - проверка полученной в модели величины индуктивности на выбранном сердечнике и коррекция ее (площадью сечения сердечника) до макетной величины. Второе - учет паразитных параметров трансформатора и монтажа.



    Предлагаю вернуться к работе Дьяконова и добавить в модель транзистора лавинные процессы, чтобы уточнить реакцию схемы транзистора и индуктивности в колекторе и эммитере. Собственно это план ближайшего времени.

    Большое спасибо за подробный ответ по теме ввода формирования модели трансформатора с ферритовым сердечником на основе практических измерений. Нашёл полученные вами значения для HM2000.

    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 28
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 18.06.09 23:07. Заголовок: тау пишет: В статье..


    тау пишет:

     цитата:
    В статье по большей части бред, профанация.



    Удивляюсь, как Тесла 120 лет назад смог донести до публики открытия в области электричества.

    Взгляните на лекции Тесла. Несомненно, классика!

    Лекции Тесла. - Tesla-full.pdfTesla-full.pdf

    Обратите внимания на главы опытов с токами высокой частоты.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 29
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 19.06.09 09:28. Заголовок: Смоделировал ток и н..


    Смоделировал ток и напряжение в коллекторе. Увеличил часть осциллограммы для наблюдения запаздывания напряжения относительно тока.

    ФИГ. 4


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Не зарегистрирован
    Зарегистрирован: 09.03.12
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 09.03.12 17:54. Заголовок: ..




    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 1226
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 4
    ссылка на сообщение  Отправлено: 09.03.12 19:24. Заголовок: Сам к вопросу лавинн..


    Сам к вопросу лавинных транзисторов так и не вернулся, а студенты все-таки начинают моделировать потихоньку. В MC9 четыре, а в MC10 пять моделей NPN Avalanche Transistor (FMMT413, FMMT415, FMMT417, ZTX413, ZTX415)

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Не зарегистрирован
    Зарегистрирован: 01.01.70
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.01.20 22:47. Заголовок: Вдруг обнаружил стра..


    Вдруг обнаружил странную непонятку. Заметил, что ток коллектора для PNP транзистора не соответствует току базы при коэффициенте усиления тока базы BF, который указан в параметрах модели. Ток колектора, где то, в 2 - 3 раза меньше расчётной. Для транзистора NPN структуры всё нормально. Схема моделирования для проверки элементарная: транзистор, источник питания и резистор (100k) для задания тока базы + источник питания для коллектора.
    Проверял в Micro-CAP9, 11 и 12.
    Подскажите в чём дело? Заранее благодарен, Вячеслав.

    Спасибо: 0 
    Цитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 1883
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 6
    ссылка на сообщение  Отправлено: 04.01.20 02:38. Заголовок: Дело в том, что коэф..


    Дело в том, что коэффициент передачи тока транзистора есть непостоянная величина, сильно зависящая от режима работы (в первую очередь от тока коллектора). Поэтому BF - среднепотолочный параметр, полученный при каких-то определенных условиях.
    По этой же причине в справочниках помимо этого среднепотолочного параметра приводят еще и зависимость бетта от тока коллектора, чтобы при расчетах с известным током коллектора получить что-то более-менее похожее на правду.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Не зарегистрирован
    Зарегистрирован: 01.01.70
    ссылка на сообщение  Отправлено: 05.01.20 16:41. Заголовок: Спасибо за ответ. За..


    Спасибо за ответ. Зависимость бета от тока коллектора это - известное дело. Но меня удивило такое большое отличие тока коллектора в моделируемой схеме от расчётной величины по справочной бета, плюс к этому разница в поведении NPN и PNP транзисторов. С уважением, Вячеслав.

    Спасибо: 0 
    Цитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 1885
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 6
    ссылка на сообщение  Отправлено: 05.01.20 19:06. Заголовок: На самом деле зависи..


    На самом деле зависимость не только от тока коллектора, но и от напряжения коллектор-эмиттер.





    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    Ответов - 73 , стр: 1 2 3 4 All [только новые]
    Ответ:
    1 2 3 4 5 6 7 8 9
    большой шрифт малый шрифт надстрочный подстрочный заголовок большой заголовок видео с youtube.com картинка из интернета картинка с компьютера ссылка файл с компьютера русская клавиатура транслитератор  цитата  кавычки моноширинный шрифт моноширинный шрифт горизонтальная линия отступ точка LI бегущая строка оффтопик свернутый текст

    показывать это сообщение только модераторам
    не делать ссылки активными
    Имя, пароль:      зарегистрироваться    
    Тему читают:
    - участник сейчас на форуме
    - участник вне форума
    Все даты в формате GMT  3 час. Хитов сегодня: 373
    Права: смайлы да, картинки да, шрифты да, голосования нет
    аватары да, автозамена ссылок вкл, премодерация откл, правка нет