On-line: гостей 1. Всего: 1 [подробнее..]
Правила: заголовок темы должен кратко и понятно отражать ее суть, нельзя писать латиницей или заглавными буквами. Сообщение, ник, аватар не должны выделяться своими размерами или стилем написания от остальных, быть читабельными, написаны литературно и достаточно грамотно.



АвторСообщение





Сообщение: 1
Зарегистрирован: 24.05.09
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 24.05.09 23:08. Заголовок: Транзистор и импульс на базе (ошибка расчета?)


При моделировании транзистора на воздействие импульса на коллекторе напряжение рассчитывается с ошибкой. Напряжения после снятия импульса на коллекторе становится отрицательным для n-p-n транзистора. Запускал эту схему в симуляторе OrCAD - моделирование совпала с практикой.

Как калибровать модель транзистора в Micro-CAP, чтобы получить исключить ошибку?

Схема: Схема транзистор и импульс на базе.JPG
Осциллограмма базовый импульс и напряжение на коллекторе: Реакция транзистора на импульс.JPG

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
Ответов - 73 , стр: 1 2 3 4 All [только новые]







Сообщение: 11
Зарегистрирован: 24.05.09
Откуда: Россия, С.-Петербург
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 07:46. Заголовок: тау пишет: Практиче..


тау пишет:

 цитата:
Практическое использование лавинного эффекта для биполярных транзисторов лишено смысла. Вряд ли найдутся серьезные разработчики, заинтересующиеся этой идеей. Нарушать предельные режимы транзисторов ЗАПРЕЩЕНО. Утяжелять модель из-за этой , извините ,прихоти - нерационально. Симулируемые результаты работы модели все равно будут отличаться от реалий в связи с большим разбросом лавинных параметров реальных транзисторов.



Как медленно технология становится массовой!

30 лет назад Дьяконов и соавторы показали, что лавинное умножение носителей есть фундоментальное свойство полупроводникового перехода.

Цитата из книги стр. 18:

"...
1.1.7. Выводы о свойство лавинного пробоя p-n перехода

1. Лавинное умножение носителей в p-n переходах является фундаментальным физическим явлением, которое наблюдается в различных переходах на полупроводниках различного типа и, прежде всего, в самых распространенных - германии и кремнии.
2. Название "пробой" для эффекта увеличения тока при росте напряжения на переходе является не вполне удачным, так как процесс роста тока при отсуствии или ограничении вторичных эффектов (например, теплового или микроплазменного пробоя) является вполне обратимым и не ведущим к разрушению приборов. Высокая надёжность приборов, использующих сильно выраженный эффект лавинного умножения носителей в переходе доказана серийным выпуском в огромных масштабах кремневых стабилитронов, лавинных фотодиодов, лавинно-пролётных диодов и лавинных транзисторов.
3. Эмпирическая формула Миллера неплохо описывает резкий рост коэффициента лавинного умножения носителей М при наступлении лавинного пробоя, когда обратное напряжение на переходе приблибжается к пробивному Um. При этом значение М лежит в пределах от 1 до бесконечности.
4. Важно отметить, что значение М>1 отмечается даже при напряжениях, намного меньших Um, что приводит к значениям asM> 1 [48] и превращает лавинные транзисторы в негатроны - приборы, имеющие S- и N- образные вольтамперные характеристики.
5. Резкость наступления лавинного пробоя зависит от показателя n формуле Миллера.
6. Последовательное омическое сопротивление Rd диода делает кривые пробоя более плавными. Напряжение на p-n-переходе при этом может превышать Um, но коэффициент лавинного умножения М определяется напряжением на зажимах диода за вычетом падения напряжения на сопротивлении Rd.
7. Лавинный пробой развивается очень быстро, поскольку область умножения носителей занимает малую часть ширины очень тонкого p-n перехода, при этом умножение носителей происходит в области сильного электрического поля. Время развития пробоя - тысячные доли наносекунды, что позволяет считать лавинное умножение носителей безынерционным процессом.
8. Неконтролируемый лавинный пробой крайне опасен для диодов и транзисторов, поскольку способен мгновенно вывести их из строя, однако контролируемый лавинный пробой шиоко используется на практике.

..."

Как уже сообщал выше меня интересует "вменяемая" модель процесса в блокинг-генераторе на транзисторе и импульсного трансформатора, а также прохождение импульса с базы на коллекторную индуктивную нагрузку. У Дьяконова осциллограммы расчетные и измеренные совпадают.

SPICE модель без лавинное эффекта совершенно не сходится.

Блокинг-генератор, когда в базе например катушка, в режиме автогенерации можно правильно понять лишь с использованием свойства отрицательного сопротивления или S- образная вольт-амперная характеристика перехода база-эмиттер. Напряжение наступления лавинного режима может произойти при небольших напряжениях - от 7 В на коллекторе в схеме с общим эмиттером.

Как инженер я требую от инструмента, в данном случае модель транзистора должна быть адекватной практике. Макет на реальных транзисторах отлично запускаются и автогенерируют на импульсном трансформаторе. Математическая модель совершенно не работает!

И Вы, предлагаете спокойно на эту полуправду смотреть и пользоваться полуфабрикатом бледного отражения реального транзистора!?

анализ и синтез Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 12
Зарегистрирован: 24.05.09
Откуда: Россия, С.-Петербург
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 13:05. Заголовок: Конспект книги: Чуа..


Конспект книги:

Чуа Л.О., Пен-Мин Лин, Машинный анализ электронных схем. Пер. с англ. // [текст].- Москва.-изд. Энергия.-1980.-640 с., ил.

Машинный анализ электронных схем (моделирование электронных элементов).djvu

анализ и синтез Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить



Сообщение: 28
Зарегистрирован: 04.02.09
Откуда: Москва
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 13:49. Заголовок: У меня создается впе..


У меня создается впечатление что Вы , askcap и являетесь Дьяконовым, упорно рекламирующим здесь негатроны, которые не только вышли из моды , но и крайне опасны в смысле надежности. Разработчики даже туннельные диоды перестали применять, хотя "опасность" туннельного эфекта на порядки ниже лавинного.
Вот ваши же слова:

 цитата:
лавинный пробой крайне опасен для диодов и транзисторов, поскольку способен мгновенно вывести их из строя



askcap пишет:

 цитата:
SPICE модель без лавинное эффекта совершенно не сходится.

Это неправда, все прекрасно сходится и без лавинного эффекта.

askcap пишет:

 цитата:
Как инженер я требую от инструмента, в данном случае модель транзистора должна быть адекватной практике. Макет на реальных транзисторах отлично запускаются и автогенерируют на импульсном трансформаторе. Математическая модель совершенно не работает!


а я не требую, потому что симуляторы нормально симулируют схемы простейших и более сложных блокинг генераторов.
Например !


askcap, почему вышеприведенная схема блокинг-генератора работает в симуляторе, ведь не должна по-Вашему по причине отсутствия пресловутого лавинного пробоя


Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 724
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 14:20. Заголовок: И Вы, предлагаете сп..



 цитата:
И Вы, предлагаете спокойно на эту полуправду смотреть и пользоваться полуфабрикатом бледного отражения реального транзистора!?


Вы столкнулись лишь с одним проявлением некорректности модели в частном применении. Поверьте, их десятки.
Хрестоматийный пример: если в схеме есть последовательно включенные конденсаторы - она не моделируется.
И в этом, действительно, нет ничего страшного. В очередной раз повторяю - у систем моделирования (и моделей) есть четкая область применимости. Внутри области моделирование производится вполне корректно. Вне области применимости - нет. Точно также, как и у реальных приборов.

 цитата:
Как инженер я требую от инструмента, в данном случае модель транзистора должна быть адекватной практике.


Как инженер вы должны понимать, что у любого измерительного инструмента есть область применимости. Если измерять напряжение в высокоомных цепях вольтметром с низким входным сопротивлением, то результаты будут неадекватны. И на эту "полуправду" все спокойно смотрят как минимум 100 лет. А почему? Потому что есть инструкция, в которой указаны возможности прибора и подразумевается, что проводящий измерение обладает достаточной квалификацией для того, чтобы не использовать не предназначенный для того прибор.

Так и тут - если знать инструкцию, то никаких проблем нет. Да, лавинный пробой не моделируется. Но этого никто и не обещал. Как говорят программисты, "это не баг, это - фича". Читайте доки, они рулез :)

А если серьезно, то системы моделирования являются достаточно сложным инструментом. Модели в них - заготовки для большинства случаев, встречающихся в практике. Но не для всех. Если чего-то там нет, то возможно три пути:
1. Смириться
2. Написать разработчикам и ждать
3. Сделать самому.

Главное - не питать излишних иллюзий о всемогуществе современных информационных технологий :). Собственную голову ничто не заменит. По крайней мере, пока :)

Кстати, возвращаясь к первому сообщению темы:

 цитата:
Запускал эту схему в симуляторе OrCAD - моделирование совпала с практикой.
Как калибровать модель транзистора в Micro-CAP, чтобы получить исключить ошибку


Как ведет себя Микрокап с той же моделью транзистора (взятой из OrCad)?

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить
администратор




Сообщение: 725
Зарегистрирован: 02.05.07
Откуда: Россия, Смоленск
Рейтинг: 2
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 14:29. Заголовок: Буду признателен за ..



 цитата:
Буду признателен за помощь и ссылки с целью изменить SPICE модель транзистора в MicroCap, например 2N2222A, до универсальной модели с лавинным эффектов.


Сейчас нахожусь в нестационарном состоянии: безработный и без постоянного места жительства :). В течение пары недель все должно придти в норму и после этого буду всерьез заниматься Micro-Cap_ом. Возможно, что и модель лавинного пробоя смогу добавить. Но сейчас для этого нет возможности.

Спасибо: 0 
ПрофильЦитата Ответить





Сообщение: 13
Зарегистрирован: 24.05.09
Откуда: Россия, С.-Петербург
Рейтинг: 0
ссылка на сообщение  Отправлено: 31.05.09 23:21. Заголовок: тау пишет: askcap и..


тау пишет:

 цитата:
askcap и являетесь Дьяконовым, упорно рекламирующим здесь негатроны, которые не только вышли из моды , но и крайне опасны в смысле надежности.



Названным автором не являюсь. Реклама дело хорошее, однако цель иная. Как и обозначил выше - анализ и синтез простой схемы блокинг-генератора в программе Micro-Cap.


тау пишет:

 цитата:
негатроны, которые не только вышли из моды , но и крайне опасны в смысле надежности.



Этот вывод не имеет никакого подтверждения практикой!

Цитата в той же книге Дьяконова:
"...
3.5. Надежность и предельные возможности транзисторов в лавинном режиме

3.5.4. Данные о надёжности работы транзистора в лавинном режиме

... Отсутствие заметно выраженных изменений этих параметров свидетельствует о том, что нет каких-либо специфических признаков деградации параметров транзисторов при длительной работе в лавинном режиме.

За 10000 ч непрерывной работы было отмечено два катастрофических случая отказа. Первый отказ произошёл через 2500 часов и был обусловлен коротким замыканием нагрузки. Точную причину второго отказа установить не удалось. таким образом ориентировочная интенсивность отказа составляет менее (1-2)*10e-6? что подтверждает высокую надёжность работы обычных диффузионных транзисторов в лавинном режиме. Достаточно высокую надёжность сплавных транзисторов
отмечено в [66].

3.5.4 Температурная стабильность параметров лавинных транзисторов
...
эксперимент показывает, что в диапазоне температур от -60 до +60 гр. Цельсия время нарастания импульса в релаксационных схемах изменяется не значительно.
...
Таким образом, лавинные транзисторы имеют высокую температурную стабильность параметров. Это является реальной предпосылкой у созданию импульсных устройств на лавинных транзисторах с повышенной температурной стабильностью и высокой надёжностью.

..."

тау пишет:

 цитата:

Это неправда, все прекрасно сходится и без лавинного эффекта.



Вы использовали вариант схемы блокинг-генератора, в которой включенн конденсатор в обратную положительную связь. По-этому и не составило труда программе сформировать осциллограммы.

При исключении конденсатора C3, резистора R3, диода D1 предлагаю вновь собрать схему и просчитать осциллограммы. Напряжение питания V=3 В, импульсный трансформатор (МИТ-3В: К17,5х8х5 М2000НМ1-Б -50+50+50 Витков. ПЭЛШО 0.14, L=3,75 мГн). и сравним с практическими осциллограммами.

Практическая схема блокинг-генератора: -

Измерение (напряжения на коллекторе №1, ток в эмитторе на шунте 0.91 Ом №2) : - )

На коллекторе (использовался BC807) 120 В импульсного напряжения. использовал и другие транзисторы. В частности КТ814Г. Его нагревал до +200 гр. Цельсия и транзистор успешно работал.


Соответственно при моделировании мы должны "попасть не в небо пальцем":

  • наблюдать похожий характер импульсов;
  • наблюдать импульс длительностью с точностью пусть +/- 30%;
  • частоту следования импульсов.

    Литература по работе блокинг-генератора на транзисторе:
    Основы импульсной и цифровой техники. Учебное пособие для вузов. //[текст] - Москва.-изд. Советское радио.-1975.-440 с. - http://narod.ru/disk/9025450000/book001_part.djvu.html

  • анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 29
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 08:03. Заголовок: симулируется всё ht..


    симулируется всё



    910m - это 910 миллиом, не подумайте что 91 ом
    R4 1,2 Ома имитирует сопротивление первички по постоянному току.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 14
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 16:11. Заголовок: тау пишет: симулиру..


    тау пишет:

     цитата:
    симулируется всё



    Вы лавинный эффект транзистора заменили на специальный элемент - стабилитрон, который и обеспечивает резкое увеличение тока при достижении напряжения стабилизации стабилитрона. Предлагаю отключить стабилитрон и посмотреть импульсы.


    Скачал симулятор электронных схем EE-SIM TOOL, за подсказку благодарю. Прогоню схему блокинг-генератора и прохождение импульса с индуктивной нагрузкой в EE-SIM.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 33
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 16:35. Заголовок: askcap пишет: Вы ла..


    askcap пишет:

     цитата:
    Вы лавинный эффект транзистора заменили на специальный элемент - стабилитрон,

    Конечно , какая разница по сути работы СХЕМЫ где произойдет пробой - в стабилитроне или в транзисторе? Но для стабилитрона это штатный режим и напряжение пробоя более-менее определено , разработчику есть на что опереться .
    askcap пишет:

     цитата:
    Предлагаю отключить стабилитрон и посмотреть импульсы.

    Импульсы будут киловольтовые , и что ?



    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 15
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 17:10. Заголовок: тау пишет: Импульсы..


    тау пишет:

     цитата:
    Импульсы будут киловольтовые , и что ?



    Модель не адекватная.

    Полупроводниковый p-n обладает "фундаментальным свойством лавинного умножения зарядов".

    Это должно быть учтено в адекватной модели транзистора. Мгновенное увеличение тока может происходить в моменты времени, когда ток на базе и напряжение на коллекторе (для некоторых транзисторов он равен около 10 В, для промышленных TTL микросхемах около 7 В). Возникает импульсная помеха. Индуктивность хорошо воспринимает этот импульс и транслирует в обмотки.

    Со стабилитроном идея разумная - он преспособлен для такой работы. Есть и специальные лавинные транзисторы, например ZTX415 avalanche transistor, у которого напряжения лавинного процесса нормировано.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 34
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 17:47. Заголовок: askcap пишет: Модел..


    askcap пишет:

     цитата:
    Модель не адекватная.

    Модель биполярного транзистора адекватна в границах применимости, Вам неоднократно об этом говорили. Хотите выйти за рамки - экспериментируйте на собственных моделях и реальных транзисторах. Зачем напрягать производителей , чтобы из них в конце концов выдавить такой параметр? Они (теоретически ) может и пойдут на такой шаг, инициированный Вами. Но транзисторы от этого станут дороже, кому это надо?
    Представьте ситуацию , что на транзистор записано предельное рабочее напряжение 100 Вольт. И лавинный пробой на 180+-20 вольт. И вот ОТК с конвейера сообщает директору об остановке производства , потому что пошли приборы у которых лавинный пробой начинается выше 200 вольт и выходит за рамки допуска по спецификации. Он жеж нестабильный, и чем тоньше\чище технология , тем выше напряжение пробоя.

    askcap пишет:

     цитата:
    Полупроводниковый p-n обладает "фундаментальным свойством лавинного умножения зарядов".

    На здоровье, пусть обладает, вот только применять его нерационально. И не применяет никто кроме Дьяконова сотоварищи 30 лет назад. А все остальные боятся этого эффекта и делают все от них зависящее чтобы не превысить предельно допустимые режимы. А военным разработчикам за такие просчеты вообще труба тюрьма грозит. Если вдруг что.

    Молния - тоже фундаментальное проявление законов природы. Но играться с ней никому не охота. Помоделировать можно.....поизучать.....отчетик написать.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 726
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 22:41. Заголовок: По поводу нестабильн..


    По поводу нестабильности параметров.
    Как-то в студенческие годы забыл, какой из диодов КД102, а какой КД103 (они внешне похожи лежали в одной коробке). Но у одного по паспорту обратное напряжение 50В, а у другого - 200. Решил проверить вводом в пробой (на стенде). Различить не удалось, поскольку оба не вошли в лавинный пробой при обратном напряжении 400В :) Проверив десятка два из коробки и плюнул - какая разница, какой в схему ставить :)

    Что касается модели лавинного пробоя, то сделать, думаю, реально. А вот насколько она будет адекватно описывать транзисторы из разных партий - другой вопрос. Поскольку по напряжение лавинного пробоя транзисторы не нормируются, то все равно особой точности ждать не стоит.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить



    Сообщение: 35
    Зарегистрирован: 04.02.09
    Откуда: Москва
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 01.06.09 23:31. Заголовок: Кстати точно - не та..


    Кстати точно - не так давно сталкивался с противнейшим явлением "избыточного" запаса по лавинному пробою.
    У диодов Филипс BY229X-600 по спецификации напряжение обратное максимальное 600 Вольт. но держут выше 1000. кажется 1200 было
    фактически. А у аналогичных диодов BY229X-600 фирмы VISHAY лавинное оказалось в районе 800 вольт.
    Не буду подробно расписывать, но кое-кто на этом попался и получил кучу неприятностей. Мне тогда тоже досталось
    Собственно поэтому я тут и высказываюсь, убеждаю askcap-а - рефлекс типа срабатывает.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 16
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 02.06.09 10:01. Заголовок: Aml пишет: Но у одн..


    Aml пишет:

     цитата:
    Но у одного по паспорту обратное напряжение 50В, а у другого - 200. Решил проверить вводом в пробой (на стенде).



    В книге Дьяконов при объединении коллектора и базы, аналог диода, рассмотрены лавинные характеристики. Управляемого низковольтного лавинного процесса нет. Имеется лавинный пробой...

    Aml пишет:

     цитата:
    Поскольку по напряжение лавинного пробоя транзисторы не нормируются, то все равно особой точности ждать не стоит.



    Это и есть калибровка модели, когда вводим измеренные параметры. Выбирается модель и проводятся измерение лавинного напряжения при заданном токе на базе и напряжении на коллекторе. Это значение будет вводится в параметры модели.


    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 727
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 02.06.09 18:16. Заголовок: Это и есть калибровк..



     цитата:
    Это и есть калибровка модели


    Если модель требует подгонки под конкретный экземпляр прибора, то ее использование лишено здравого смысла.
    Цель моделирования - по имеющимся моделям предсказать поведение устройства "в железе", а не индивидуальной подгонкой моделей добиться похожести результатов моделирования на экспериментальные данные.

    Кстати, а чем не устраивает вариант из параллельно включенных моделей транзистора и стабилитрона?

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить





    Сообщение: 17
    Зарегистрирован: 24.05.09
    Откуда: Россия, С.-Петербург
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 10:50. Заголовок: Aml пишет: Если мо..


    Aml пишет:

     цитата:

    Если модель требует подгонки под конкретный экземпляр прибора, то ее использование лишено здравого смысла.



    Хотелось бы предложить статьи на тему моделей:

    1. Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспкт. // [текст] "Компоненты и технологии", №7, 2004 г., с.26-29, №8 с. 56-61 и №9, с.32-39. - http://www.rlda.ru/MOSFET_Simulation.pdf
    2. В.Денисенко, Компактные модели МОП-транзисторов для СБИС. Часть 1. // [электронный ресурс] - http://www.electronics.ru/issue/2004/5/20
    3. В.Денисенко, Компактные модели МОП-транзисторов для СБИС. Часть 2. // [электронный ресурс] - http://www.electronics.ru/issue/2004/6/18

    "...
    ТОЧНОСТЬ
    Под точностью модели обычно понимают степень соответствия модельных характеристик транзистора, рассчитанных с использованием параметров модели, полученных в результате экстракции, экспериментальным характеристикам транзистора. Количественной мерой точности является погрешность. Экстракцию параметров обычно выполняют, используя группу транзисторов. Поскольку в группе всегда существует статистический разброс, модель описывает характеристики некоторого абстрактного транзистора, не являющегося элементом группы. При попытке оценить точность модели возникает парадокс. Если точность рассматривать как меру соответствия модели и объекта, то непонятно, с каким конкретно транзистором производить сравнение, поскольку среднеквадратическое отклонение относительного разброса тока стока двух рядом расположенных транзисторов с номинальной длиной канала 0,18 мкм может достигать 30% [1]. Таким образом, погрешность, определенная по разнице ординат, как это было принято для длинноканальных транзисторов, не всегда адекватно отражает результирующую точность моделирования субмикронных транзисторов [2].
    Пример несовершенства оценки точности по степени совпадения кривых приведен на рис.1. На первый взгляд, вольт-амперные характеристики (рис.1а) практически совпадают, но при моделировании выходной проводимости транзистора точность модели чрезвычайно низкая (рис. 1б). Приведенный пример характерен для большинства моделей, использующих разные функции для описания крутой и пологой областей вольт-амперных характеристик МОП-транзистора, в частности, для модели Level 3. Точка V0 является точкой "сшивания" двух функций, в которой производная имеет разрыв.
    ..."

    "...
    Таким образом, причины, влияющие на получение ошибочного результата моделирования при использовании "точной" модели, нельзя рассматривать как досадное недоразумение. Они имеют систематический характер и оказывают существенное влияние на качество модели, а поэтому должны быть систематизированы, охарактеризованы и приняты во внимание как пользователями, так и разработчиками компактных моделей. Многие меры по преодолению перечисленных здесь проблем кажутся очевидными и связаны с организацией процесса разработки и эксплуатации модели. Однако существует и альтернативный путь - использование метода макетирования, когда вместо математических моделей используется реальный транзистор.
    ..."

    Таким образом модель всегда будет неадекватной конкретному образцу.



    анализ и синтез Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 729
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 12:57. Заголовок: Информация из перечи..


    Информация из перечисленных статей никак не противоречит моему высказыванию. Скорее, наоборот. :)
    А если учесть, что там рассматривается системы моделирования с точки зрения разработчика полупроводниковых приборов (СБИС), а не с точки зрения инженера-схемотехника или радиолюбителя, то и выводы получаются несколько разные. Начнем с того, что разработчиков СБИС в меньшей степени лимитируют вычислительные затраты и стоимость программного обеспечения, нежели рядового инженера-схемотехника. Во-вторых, требования к точности разные. Для схемотехника как правило, достаточно, чтобы параметры, обеспеченные в модели, отличались бы менее, чем на 50% от среднестатистических параметров (приводимых в справочнике) реального прибора. Плюс имели бы минимальные требования к вычислительной мощности.

    О том, что существующие модели несовершенны, я писал еще в первом своем сообщении. Нужно ли их совершенствовать? Безусловно, надо. Но, по моему мнению, модель в первую очередь:
    1. Обеспечивать качественную воспроизводимость процессов в реальном приборе (если лавинный пробой в реальном приборе, то он должен быть и в модели. Он может быть не при том напряжении, что в конкретном приборе, но все-таки должен быть)
    2. Обеспечивать приемлемую количественную воспроизводимость внешних параметров (т.е. полученное значение параметра не должно больше, чем на 30-50% отличаться от среднестатистического (справочного) параметра прибора)
    3. Возможность выбора уровня сложности (для оптимизации требования к вычислительным ресурсам).

    Что касается модели лавинного транзистора, то надо попытаться создать ее хотя бы на качественном уровне.
    Однако согласен с тау, что на данный момент использование лавинного эффекта в практических разработках вряд ли целесообразно. Тем более, что именно лавинных транзисторов (где это паспортный режим) - очень мало. А остальные не подходят для промышленного (и тем более, специального) из-за нештатности используемого режима. Впрочем, это к созданию модели отношения не имеет.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 730
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 15:47. Заголовок: Выкладываю схему бло..



     цитата:
    Выкладываю схему блокинг-генератора на импульсном трансформаторе МИТ-3В. Практически измерил работу для разнообразных транзисторах. А вот модель не удается приблизить к практике. Неустойчиво считает и не формирует даже повторяющиеся осциллограмм.


    Судя по всему, там проблема не с моделью транзистора, а с моделью трансформатора. Схема при включении формирует один импульс, но после выключения транзистора весь ток, задаваемый резистором R5, уходит в индуктивность L1. Ток базы всегда равен нулю и условий для повторного открытия транзистора не создается.

    Очевидно, что отсутствие модели лавинных эффектов тут ни при чем, напряжения маленькие и до них дело не доходит.

    Удивительно, что схема работает в реале. Видимо ток реального трансформатора все-таки меньше и не шунтирует базу.

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    администратор




    Сообщение: 731
    Зарегистрирован: 02.05.07
    Откуда: Россия, Смоленск
    Рейтинг: 2
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 15:57. Заголовок: А вот если поставить..


    А вот если поставить последовательно с L1 конденсатор - все благополучно работает.


    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    постоянный участник


    Сообщение: 55
    Зарегистрирован: 20.10.07
    Откуда: остров Крым
    Рейтинг: 0
    ссылка на сообщение  Отправлено: 03.06.09 22:34. Заголовок: А вот если поставить..



     цитата:
    А вот если поставить последовательно с L1 конденсатор - все благополучно работает.


    мож реальная катушка имеет межвитковую емкость?

    Спасибо: 0 
    ПрофильЦитата Ответить
    Ответов - 73 , стр: 1 2 3 4 All [только новые]
    Ответ:
    1 2 3 4 5 6 7 8 9
    большой шрифт малый шрифт надстрочный подстрочный заголовок большой заголовок видео с youtube.com картинка из интернета картинка с компьютера ссылка файл с компьютера русская клавиатура транслитератор  цитата  кавычки моноширинный шрифт моноширинный шрифт горизонтальная линия отступ точка LI бегущая строка оффтопик свернутый текст

    показывать это сообщение только модераторам
    не делать ссылки активными
    Имя, пароль:      зарегистрироваться    
    Тему читают:
    - участник сейчас на форуме
    - участник вне форума
    Все даты в формате GMT  3 час. Хитов сегодня: 309
    Права: смайлы да, картинки да, шрифты да, голосования нет
    аватары да, автозамена ссылок вкл, премодерация откл, правка нет